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질소가 도핑된 타이타늄 탄화물 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019018927
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소를 함유한 단분자의 온도에 따른 상태변화를 이용하여 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물을 제조하는 방법과, 상기의 제조방법에 의해 제조되는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물 및 이를 포함하는 전극 소재에 관한 것이다.
Int. CL C01B 32/921 (2017.01.01) H01G 11/30 (2013.01.01) H01G 11/86 (2013.01.01)
CPC C01B 32/921(2013.01) C01B 32/921(2013.01) C01B 32/921(2013.01) C01B 32/921(2013.01) C01B 32/921(2013.01)
출원번호/일자 1020180049412 (2018.04.27)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-2028332-0000 (2019.09.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190058978;
심사청구여부/일자 Y (2018.04.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대전광역시 중구
2 안기석 대전광역시 유성구
3 임종선 대전광역시 유성구
4 명성 대전광역시 서구
5 송우석 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0423594-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0030782-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0223509-52
5 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0515391-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0518223-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0518227-76
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0680402-17
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번호 청구항
1 1
(a) Ti3C2 및 Ti2C 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 멕신(MXene) 및 시안아마이드(NH2CN)를 함유한 혼합액을 반응시키는 단계, (b) 상기 반응으로 수득된 멕신-시안아마이드 생성물을 질소분위기 하, 400 내지 1,200℃에서 열처리하는 단계 및(c) 상기 열처리된 생성물을 산 처리하는 단계를 포함하는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 열처리는 400℃ 내지 600℃에서 10분 내지 300분 동안 온도를 유지하고, 600 내지 800℃에서 10분 내지 300분 동안 온도를 유지하는 것을 포함하는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 열처리는 분당 1℃ 내지 30℃의 승온 속도로 제어되는 것인 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 혼합액을 초음파 분산 및 70 내지 90℃에서 교반하는 것을 포함하는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 산 처리는 염산, 황산, 질산, 인산 및 염화설폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 성분을 이용하여 실시하는 것인 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물의 제조방법
6 6
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7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 (Sub) IoT 디바이스용 스마트 화학 소재 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 원천기술개발사업 (EZ)친환경 고효율 산화 그래핀 합성공정 최적화 기술 개발