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기판; 상기 기판 상에 형성되는 반도체층;상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 생분해성 물질은 무기물질, 유기물질 및 생체 적합성 재료 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유전체층은 펩타이드 결합이 하나 이상 있는 티로신(tyrosine) 기반의 펩타이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 기판, 반도체층, 유전체층, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 36시간 내에 용해되는 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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기판;상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되는 유전체층;상기 유전체층 상에 형성되는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함하고,상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;게이트 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계;유전체층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터
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