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지지 기판(support substrate), 베이스 기판(base substrate), 및 상기 지지 기판과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 희생막을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계; 상기 베이스 기판 상에, 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하되, 상기 희생막의 초기 접착력은, 상기 트랜지스터 형성 단계의 공정 조건에 따라 제어되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판 분리 단계에서, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리되기 위한 상기 희생막의 타겟 접착력이 정의되고, 상기 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하여, 상기 트랜지스터는, 상기 버퍼층 상에 형성되고, 상기 트랜지스터를 형성하는 단계는, 게이트 절연막(gate insulator)을 형성 단계를 포함하되, 상기 버퍼층 형성 단계, 또는 상기 게이트 절연막 형성 단계가 200℃ 이상의 온도에서 수행되는 경우, 상기 희생막의 상기 초기 접착력은 상기 타겟 접착력보다 낮게 설정되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판 분리 단계에서, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리되기 위한 상기 희생막의 타겟 접착력이 정의되고, 상기 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하여, 상기 트랜지스터는, 상기 버퍼층 상에 형성되고, 상기 트랜지스터를 형성하는 단계는, 게이트 절연막(gate insulator)을 형성 단계를 포함하되,상기 버퍼층 형성 단계, 또는 상기 게이트 절연막 형성 단계가 200℃ 미만의 온도에서 수행되는 경우, 상기 희생막의 상기 초기 접착력은 상기 타겟 접착력의 기준 범위 내로 설정되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판 분리 단계에서, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리되기 위한 상기 희생막의 타겟 접착력이 정의되고, 상기 트랜지스터 형성 단계는, 소스 및 드레인 전극 형성 단계, 활성층 형성 단계, 및 게이트 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극 형성 단계, 활성층 형성 단계, 및 게이트 전극 형성 단계는 식각 공정을 포함하되,식각 공정에 사용되는 식각 용액의 종류에 따라, 상기 희생막의 상기 초기 접착력이 제어되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극 형성 단계, 또는 상기 게이트 전극 형성 단계 중 적어도 어느 하나의 단계에서 왕수(aqua regia)를 포함하는 ITO Etchant 식각 용액이 사용되는 경우, 상기 초기 접착력은 상기 타겟 접착력보다 높게 설정되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극 형성 단계, 또는 상기 게이트 전극 형성 단계 중 적어도 어느 하나의 단계에서 TMAH(trimethylanlilinium hydroxide)를 포함하는 Stripper 식각 용액이 사용되는 경우, 상기 초기 접착력은 상기 타겟 접착력의 기준 범위 내로 설정되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체 준비 단계는, 상기 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 포함하는 상기 소스 용액을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계; 및상기 희생막 상에 고분자를 포함하는 상기 베이스 기판을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 트랜지스터는, 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함하고, 상기 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 금속 산화물을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 희생막 용해액은, 물(H2O)를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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지지 기판(support substrate), 베이스 기판(base substrate), 및 상기 지지 기판과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 희생막을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계; 200℃ 이상의 온도에서 상기 베이스 기판 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계;식각 공정을 이용하여, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 게이트 전극 중 적어도 어느 하나가 ITO(Indium Tim Oxide)를 포함하는 트랜지스터를 상기 버퍼층 상에 형성하는 단계; 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하되, 상기 희생막의 접착력은, 상기 버퍼층 형성 단계 또는 상기 트랜지스터 형성 단계 중 적어도 어느 하나에 따라 제어되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 베이스 기판 상에 상기 버퍼층, 및 상기 트랜지스터가 순차적으로 형성되되,상기 버퍼층이 형성되기 전 상기 희생막의 접착력은, 상기 버퍼층이 형성된 후 상기 희생막의 접착력 보다 낮고, 상기 버퍼층이 형성된 후 상기 희생막의 접착력은, 상기 트랜지스터가 형성된 후 상기 희생막의 접착력 보다 높은 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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지지 기판(support substrate), 베이스 기판(base substrate), 및 상기 지지 기판과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 희생막을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계; 200℃ 미만의 온도에서 상기 베이스 기판 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계; 소스 전극, 드레인 전극, 또는 게이트 전극 중 적어도 어느 하나가 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하고, 비식각(non-etching) 공정으로 형성되는 트랜지스터를 상기 버퍼층 상에 형성하는 단계; 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하되, 상기 베이스 기판 분리 단계에서, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리되기 위한 상기 희생막의 타겟 접착력이 정의되고, 상기 희생막의 초기 접착력은, 상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 트랜지스터 형성 단계에서, 상기 타겟 접착력의 기준 범위 내로 유지되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극, 또는 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는, 리프트 오프(lift off) 공정으로 제조되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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