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지지 기판(support substrate)을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 포함하는 소스 용액을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 상에, 금속 산화물을 포함하는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 포함하는 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하되,상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리되는 동안, 상기 희생막 용해액에 의해 상기 트랜지스터의 이동도(mobility)가 향상되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스 용액은 탈착 조절제를 더 포함하고, 상기 탈착 조절제는, 상기 희생막 용해액과 반응하여 기포(bubble)를 생성하는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 탈착 조절제는, 망간(Mn) 산화물을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 희생막 용해액의 농도에 따라, 상기 희생막의 용해 속도가 제어되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 희생막 용해액의 농도가 증가할수록, 상기 희생막의 용해 속도가 증가되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 희생막 내의 상기 그래핀 산화물 함량에 따라, 상기 희생막의 용해 속도가 제어되는 것을 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 희생막 내의 상기 그래핀 산화물 함량이 증가할수록, 상기 희생막의 용해 속도가 증가되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 희생막 용해액은, 과산화수소(H2O2)를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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고분자를 포함하는 베이스 기판; 및상기 베이스 기판 상에 배치되고, 활성층, 금속 산화물 게이트 전극, 금속 산화물 소스 전극, 및 금속 산화물 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 포함하고,지지 기판 상에 배치되고, 비교 활성층, 비교 게이트 전극, 비교 소스 전극, 및 비교 드레인 전극을 포함하는 비교 트랜지스터가 정의되되, 상기 비교 활성층, 상기 비교 게이트 전극, 상기 비교 소스 전극, 및 상기 비교 드레인 전극은, 상기 활성층, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극과 각각 동일한 원소 및 동일한 두께로 형성되고, 상기 활성층은 상기 비교 활성층과 비교하여 산소 비율이 높아, 상기 트랜지스터는 상기 비교 트랜지스터와 비교하여 높은 이동도(mobility)를 갖는 것을 포함하는 전자 소자
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제10 항에 있어서, 상기 트랜지스터의 이동도는, 상기 비교 트랜지스터의 이동도 보다 1
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제11 항에 있어서, 상기 금속 산화물은, ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 전자 소자
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