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적어도 일 면에 오목부를 포함하는 집전체, 및 공극을 포함하는 다공성 집전체 중 적어도 하나인 집전체를 준비하는 단계;상기 집전체의 적어도 일 면을 덮도록 보호층을 형성하는 단계;도금액 내에 상기 보호층이 형성된 집전체를 위치시킨 후 상기 보호층과 소정의 간격을 두고 리튬 공급원을 위치시키는 단계; 그리고상기 집전체 및 상기 리튬 공급원 사이에 전류를 인가하여, 상기 집전체의 오목부 또는 공극 내에 리튬 금속을 위치시켜 리튬 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 리튬 금속층을 형성하는 단계는,상기 리튬 공급원으로부터 공급된 리튬 이온이 상기 보호층을 통과하여 상기 집전체의 오목부 또는 공극 내에 리튬 금속이 위치하도록 수행되는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 보호층을 형성하는 단계는,물리 증착, 스크인 인쇄, 진공 증착, 분무 코팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅 및 열간 압착 중 적어도 하나의 방법으로 수행되는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는 40 내지 80온도 범위에서 열처리하는 공정을 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금액 내에 상기 보호층이 형성된 집전체를 위치시킨 후 상기 보호층과 소정의 간격을 두고 리튬 공급원을 위치시키는 단계는, 상기 보호층 및 상기 리튬 공급원 사이에 다공성 절연막을 위치시키는 단계를 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금액은 보조 용매 및 첨가제를 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 보조 용매는,에틸렌 카보네이트(ethylene carbonate, EC), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate, PC), 1,2-부틸렌 카보네이트, 2,3-부틸렌 카보네이트, 1,2-펜틸렌 카보네이트, 2,3-펜틸렌 카보네이트, 비닐렌 카보네이트, 비닐에틸렌 카보네이트, 플루오로에틸렌 카보네이트(fluoroethylene carbonate, FEC), 디메틸 카보네이트(DMC), 디에틸 카보네이트(DEC), 디프로필 카보네이트, 에틸메틸 카보네이트(EMC), 메틸프로필 카보네이트, 에틸프로필 카보네이트, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 메틸에틸 에테르, 메틸프로필 에테르, 에틸프로필 에테르, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필아세테이트, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 프로필 프로피오네이트, ν-부티로락톤, ν-발레로락톤, ν-카프로락톤, σ-발레로락톤, ε-카프로락톤 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 첨가제는,F-, Cl-, Br-, I-, NO3-, N(CN)2-, BF4-, ClO4-, PF6-, (CF3)2PF4-, (CF3)3PF3-, (CF3)4PF2-, (CF3)5PF-, (CF3)6P-, CF3SO3-, CF3CF2SO3-, (CF3SO2)2N-, (FSO2)2N-, CF3CF2(CF3)2CO-, (CF3SO2)2CH-, (SF5)3C-, (CF3SO2)3C-, CF3(CF2)7SO3-, CF3CO2-, CH3CO2-, SCN- 및 (CF3CF2SO2)2N- 중 적어도 하나를 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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적어도 일 면에 오목부를 포함하는 집전체, 및 공극을 포함하는 다공성 집전체 중 적어도 하나인 집전체를 준비하는 단계;상기 집전체의 적어도 일 면을 덮도록 보호층을 형성하는 단계;도금액 내에 상기 보호층이 형성된 집전체를 위치시킨 후 상기 보호층과 소정의 간격 없이 리튬 공급원을 위치시키는 단계; 그리고상기 집전체 및 상기 리튬 공급원 사이에 전류를 인가하여, 상기 집전체의 오목부 또는 공극 내에 리튬 금속을 위치시켜 리튬 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 리튬 금속층을 형성하는 단계는,상기 리튬 공급원으로부터 공급된 리튬 이온이 상기 보호층을 통과하여 상기 집전체의 오목부 또는 공극 내에 리튬 금속이 위치하도록 수행되는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 도금액 내에 상기 보호층이 형성된 집전체를 위치시킨 후 상기 보호층과 소정의 간격 없이 리튬 공급원을 위치시키는 단계는, 상기 보호층 및 상기 리튬 공급원 사이에 다공성 절연막을 위치시키는 단계를 포함하는 리튬 금속 음극의 제조 방법
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