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InX계 양자점 시드를 포함한 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물에 Zn(In)X계 클러스터를 연속 주입하여 InX계 코어를 형성하는 단계;상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 InX계 코어상에 코팅된 제1 쉘을 형성하는 단계; 및상기 혼합물에 황 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅된 제2 쉘을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 InX계 코어는 코어 내에 In, Zn 및 P을 포함하고 코어 표면에 Zn층이 형성되고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성된 것을 특징으로 하고, 상기 X는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 InX계 양자점 시드는 인듐 전구체, 산 및 트리메틸실릴 전구체를 혼합하여 InX나노입자를 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Zn(In)X계 클러스터는 인듐 전구체, 산, 아연 전구체 및 트리메틸실릴 전구체를 혼합하여 In 및 Zn결정이 결합된 초결정 상태의 집합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제2항 또는 3항에 있어서,상기 인듐 전구체는 아세트산인듐(Indium acetate), 인듐 아세토네이트(Indium acetylacetonate), InSb 또는 InAs을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제2항 또는 3항에 있어서,상기 산은 카르복실산 리간드인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제5항에 있어서,상기 카르복실산 리간드는 팔미트산(palmitic acid), 스테아르산(Stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 또는 올레산(oleic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제2항 또는 3항에 있어서,상기 트리메틸실릴 전구체는 트리스포스핀(Tris(trimethylsilyl)phosphine ((TMS)3P), Tris(trimethylsilyl)antimony 또는 Tris(trimethylsilyl)arsenide를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 InX계 양자점 시드는 InP, InAs 또는 InSb를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Zn(In)X계 클러스터는 0
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제1항에 있어서,상기 코어의 크기는 1
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제1항에 있어서,상기 코어의 크기는 3
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제1항에 있어서,상기 셀레늄 화합물은 TOP(Trioctylphosphine)Se를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체는 아세트산아연(zinc acetate), 아연 아세토네이트(Zinc acetylacetonate), 스테아르산아연(zinc stearate) 및 올래산아연(zinc oleate)중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황 화합물은 1- dodecanethiol (1-DDT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 쉘 및 상기 제2 쉘은 SILAR (Successive Ion Layer Adsorption and Reaction)법을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 SILAR (Successive Ion Layer Adsorption and Reaction)법은 200℃ 내지 400℃ 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양자점의 크기는 1
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제1항에 있어서,상기 양자점의 크기는 3
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제1항에 있어서,상기 양자점의 발광파장은 380nm 내지 750nm의 파장에서 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양자점의 발광파장은 600nm 내지 750nm의 파장에서 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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청구항 1항의 양자점 제조방법으로 제조된 양자점
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