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모재를 준비하는 단계;셀레나이드를 포함하는 전구체 용액 및 무독성의 전해질을 포함하는 제1 소스 용액을 준비하는 단계;인듐을 포함하는 전구체 용액 및 무독성의 전해질을 포함하는 제2 소스 용액을 준비하는 단계;갈륨을 포함하는 전구체 용액 및 무독성의 전해질을 포함하는 제3 소스 용액을 준비하는 단계;구리를 포함하는 전구체 용액 및 무독성의 전해질을 포함하는 제4 소스 용액을 준비하는 단계; 및상기 제1 내지 상기 제4 소스 용액을 소정의 순서로 상기 모재에 제공하여, 상기 제1 내지 상기 제4 소스 용액에 포함된 각각의 금속에 대응하는 환원 전압(reducing voltage)을 인가하는 전기화학적 원자층 전착 단계를 포함하되,상기 전기화학적 원자층 전착 단계에서 상기 각각의 금속에 대응하는 환원 전압을 인가하는 것은,상기 제1 소스 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 최소 피크보다 작은 환원 전압을 인가하고,상기 제2 소스 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 서로 다른 두 개의 피크 사이의 범위의 환원 전압을 인가하고,상기 제3 소스 용액 또는 상기 제4 소스 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 피크에 대응하는 환원 전압을 인가하는 것을 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제1 항에 있어서,상기 전기화학적 원자층 전착 단계는, 상기 모재 상에 인듐 셀레나이드층을 전착하는 단계;상기 인듐 셀레나이드층 상에 갈륨 셀레나이드층을 전착하는 단계; 및 상기 갈륨 셀레나이드층 상에 구리 셀레나이드층을 전착하는 단계를 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제2 항에 있어서,상기 인듐 셀레나이드층을 전착하는 단계는, 상기 모재에 상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계;상기 제1 소스 용액에 포함된 상기 셀레나이드에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계;상기 모재에 상기 제2 소스 용액을 제공하는 단계; 및상기 제2 소스 용액에 포함된 상기 인듐에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계를 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제2 항에 있어서,상기 갈륨 셀레나이드층을 전착하는 단계는, 상기 인듐 셀레나이드층에 상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계;상기 제1 소스 용액에 포함된 상기 셀레나이드에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계;상기 모재에 상기 제3 소스 용액을 제공하는 단계; 및상기 제3 소스 용액에 포함된 상기 갈륨에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계를 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제2 항에 있어서,상기 구리 셀레나이드층을 전착하는 단계는, 상기 갈륨 셀레나이드층에 상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계;상기 제1 소스 용액에 포함된 상기 셀레나이드에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계;상기 모재에 상기 제4 소스 용액을 제공하는 단계; 및상기 제4 소스 용액에 포함된 상기 구리에 대응하는 환원 전압을 인가하는 단계를 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제2 항에 있어서,상기 전기화학적 원자층 전착 단계는, 상기 인듐 셀레나이드층을 전착하는 단계를 2번 반복 수행한 후에, 상기 갈륨 셀레나이드층을 전착하는 단계를 2번 반복 수행하는 것을 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제1 항에 있어서,상기 무독성의 전해질은 황산나트륨을 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제1 항에 있어서,상기 제1 내지 상기 제4 소스 용액은 황산나트륨을 포함하고, pH가 3 내지 4
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제1 항에 있어서,상기 모재는 몰리브데넘 전극을 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막 합성법
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제1 셀레나이드 원자층 및 상기 제1 셀레나이드 원자층 상에 적층된 인듐 원자층을 포함하는 인듐 셀레나이드층;제2 셀레나이드 원자층 및 상기 제2 셀레나이드 원자층 상에 적층된 갈륨 원자층을 포함하는 갈륨 셀레나이드층; 및 제3 셀레나이드 원자층 및 상기 제3 셀레나이드 원자층 상에 적층된 구리 원자층을 포함하는 구리 셀레나이드층을 포함하되,복수의 상기 인듐 셀레나이드층, 복수의 상기 갈륨 셀레나이드층, 및 복수의 상기 구리 셀레나이드층은, 전기화학적 방법에 의해 금속 원자층에 따라 각각 다른 환원 전위로 적층된 것을 포함하고,상기 인듐 원자층 및 상기 갈륨 원자층의 원자비는 태양광 흡수량이 향상된 에너지 밴드갭을 얻기 위하여 아래 003c#수학식 1003e#에 따른 것을 포함하되,상기 전기화학적 방법에 의해 각각 다른 환원 전위로 적층된 각 금속 원자층은,셀레나이드를 포함하는 용액을 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 최소 피크보다 작은 환원 전압을 인가한 후에, 인듐을 포함하는 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 서로 다른 두 개의 피크 사이의 범위의 환원 전압을 인가하여 형성된 상기 인듐 셀레나이드층;셀레나이드를 포함하는 용액을 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 최소 피크보다 작은 환원 전압을 인가한 후에, 갈륨을 포함하는 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 곡선의 피크에 대응하는 환원 전압을 인가하여 형성된 상기 갈륨 셀레나이드층; 및셀레나이드를 포함하는 용액을 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 최소 피크보다 작은 환원 전압을 인가한 후에, 구리를 포함하는 용액을 상기 모재에 제공하고, 전류/전압 곡선의 곡선의 피크에 대응하는 환원 전압을 인가하여 형성된 상기 구리 셀레나이드층;을 포함하는 태양광 흡수제 CIGS 초박막
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