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플라즈마 식각 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버;상기 처리 공간 내에 배치되며, 식각될 대상체를 지지하는 지지부;상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 처리 공간으로 식각 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및상기 처리 공간 내에 공급되는 식각 공정 가스를 구속하는 구속부 및 전자파를 입사시켜 상기 구속된 식각 공정 가스를 플라즈마화 시키는 전자파 입사창을 포함하되, 장축과 단축을 가지는 타원 형상을 가지는 ECR(Electron Cyclotron Resonanace) 플라즈마 소스 모듈을 포함하되,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈에 의하여 생성된 플라즈마에 의하여 상기 대상체가 플라즈마 식각되되, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈은 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈의 장축 방향으로 상기 전자파 입사창을 포함하고,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈 및 상기 지지부는, 플라즈마 식각 공정의 스캐닝을 위하여, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈의 단축 방향으로 상대적으로 이동되도록 구성된, 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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제1 항에 있어서,상기 식각될 대상체는 Cu(Copper)를 포함하며,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈에 의하여 생성된 플라즈마는 상기 대상체와 반응하여 CuClx의 식각 부산물을 생성하는, 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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제2 항에 있어서,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈은, 상기 공정 챔버의 압력 10-2 Torr 이하에서 플라즈마를 생성하는 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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제1 항에 있어서,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈은 상기 장축 방향으로 길이 확장이 가능하도록 구성된, 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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제1 항에 있어서,상기 구속부는 마그넷인, 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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플라즈마 식각 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버;상기 처리 공간 내에 배치되며, 식각될 대상체를 지지하는 지지부;상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 처리 공간으로 식각 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및상기 처리 공간 내에 공급되는 식각 공정 가스를, 상기 공정 챔버의 압력 10-2 Torr 이하에서 플라즈마화 시키는 ECR(Electron Cyclotron Resonanace) 플라즈마 소스 모듈을 포함하되,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈에 의하여 생성된 플라즈마에 의하여 상기 대상체가 플라즈마 식각되며, 상기 플라즈마화된 식각 공정 가스와 상기 대상체와의 반응에 의하여 생성되는 식각 부산물의 기화 온도는 100도 이내이되, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈은 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈의 장축 방향으로 전자파 입사창을 포함하고,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈 및 상기 지지부는, 플라즈마 식각 공정의 스캐닝을 위하여, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈의 단축 방향으로 상대적으로 이동되도록 구성된, 금속 박막의 플라즈마 식각 장치
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처리 공간을 제공하는 공정 챔버 내에 구비된 지지부 상에 식각될 대상체를 제공하는 단계;상기 처리 공간 내부에 식각 공정 가스를 공급하는 단계;상기 공정 챔버 내부로 공급된 상기 식각 공정 가스를, 10-2 Torr 이하에서ECR 플라즈마 소스 모듈에 노출시켜 플라즈마를 생성하는 단계;상기 플라즈마화된 공정 가스를 이용하여 상기 대상체를 식각하는 플라즈마 식각 공정을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 플라즈마 식각 공정을 수행하는 단계에서, 상기 플라즈마화된 식각 공정 가스와 상기 대상체와의 반응에 의하여 생성되는 식각 부산물의 기화 온도는 100도 이내이며, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈은 단축 및 전자파 입사창이 마련된 장축으로 이루어진 타원 형상을 가지며,상기 플라즈마 식각 공정을 수행하는 단계는,상기 ECR 플라즈마 소스 모듈 및 상기 지지부 간에, 상기 ECR 플라즈마 소스 모듈의 단축 방향으로의 상대적 이동을 발생시켜, 상기 단축 방향으로의 플라즈마 스캐닝 식각 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는, 금속 박막의 플라즈마 식각 방법
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제8 항에 있어서,상기 식각될 대상체는 Cu를 포함하며,상기 식각 부산물은 CuClx를 포함하는, 금속 박막의 플라즈마 식각 방법
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