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재구성 가능한 기생 소자를 이용한 빔 조향 안테나에 있어서,모노폴 안테나; 및상기 모노폴 안테나의 중심으로부터 일정 거리만큼 이격되어 위치하고, PIN 다이오드가 부착된 재구성 기생 소자(A, B, C)를 포함하고,상기 재구성 기생 소자의 온/오프의 조합에 따라, 방위각 방향에서 빔 조향 각도(beam steering angle)가 변경되고,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)는,접지면(ground plane)상에 수직하고, 상호 간에 삼각형 형태로 배치된 기판 상에 프린트된 제1 금속 패턴과 제2 금속 패턴 사이에 상기 PIN 다이오드가 연결되도록 구성되고,상기 제2 금속 패턴은 상기 제1 금속 패턴보다 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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제1 항에 있어서,상기 재구성 기생 소자는,상기 모노폴 안테나의 중심으로부터 d만큼 이격되고, 방위각 0°, 120°, 240°지점에 위치하는 제1 내지 제3 PIN 다이오드를 포함하고,상기 제1 내지 제3 PIN 다이오드의 온/오프의 6가지 조합에 따라, 상기 방위각 방향에서 빔 피크의 각도가 60°만큼 변경되는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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제2 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 PIN 다이오드로 공급 전압을 변경하여 상기 제1 내지 제3 PIN 다이오드의 온/오프 상태를 변경시키는 제어부를 더 포함하고,상기 제어부는,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)에 대한 온/오프 상태를 제어함에 있어, 다음 단계에서 하나의 기생 소자에 대해서만 온/오프 상태를 변경하여 빔 피크의 각도가 60°만큼 순차적으로 변경되도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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삭제
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제1 항에 있어서,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)의 높이 hp는 상기 모노폴 안테나의 높이 h보다 낮게 설정되고,상기 PIN 다이오드가 오프 되는 경우, 상기 제2 금속 패턴은 상기 접지면과 연결되지 않고,상기 PIN 다이오드가 온 되는 경우, 상기 제2 금속 패턴은 상기 접지면과 연결되어, 해당 재구성 기생 소자는 상기 모노폴 안테나로부터 방사되는 전파에 대하여 빔 피크를 변경시킬 수 있는 기생 소자(parasitic element)로 동작하는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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제1 항에 있어서,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)는,상기 제2 금속 패턴 상부에 제3 금속 패턴이 배치되고, 상기 제2 금속 패턴과 상기 제3 금속 패턴 사이에 배치되는 제2 PIN 다이오드를 포함하고,상기 PIN 다이오드 및 제2 PIN 다이오드가 모두 온 됨에 따라 고각(elevation) 방향으로 빔 피크가 변경되거나 또는 고각 방향으로 빔 폭이 변경되는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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제6 항에 있어서,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)와 상기 모노폴 안테나의 간격 d가 제1 임계치 이하가 되도록 배치되어, 상기 제2 PIN 다이오드가 온 됨에 따라 오프 되는 경우보다 고각 방향으로 빔 폭이 감소하는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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제6 항에 있어서,상기 재구성 기생 소자(A, B, C)와 상기 모노폴 안테나의 간격 d가 제2 임계치 이상이 되도록 배치되어, 상기 제2 PIN 다이오드가 온 됨에 따라 오프 되는 경우보다 빔 피크가 고각 방향으로 큰 각도로 변경되고,상기 제1 금속 패턴 내지 상기 제3 금속 패턴에 의한 높이 hp2는 상기 모노폴의 높이 h보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는, 빔 조향 안테나
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