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플라즈마 강화 원자층증착법을 이용한 이황화텅스텐 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019019407
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 강화 원자층증착법으로 이황화텅스텐 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이황화텅스텐 박막 형성 방법은 기판 상에 텅스텐 전구체(precursor)인 W(CO)6를 공급하는 단계, 텅스텐 전구체를 퍼지(purge)하는 단계, 반응가스인 황화수소(H2S)를 공급하는 단계 및 반응가스를 퍼지하는 단계를 포함하며, 반응가스를 공급하는 단계에서는 플라즈마를 이용하여, 추가적인 후속 공정 없이 기판 상에 직접 이황화텅스텐(WS2) 박막을 형성시킨다.
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020180038037 (2018.04.02)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0115241 (2019.10.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수현 대구광역시 수성구
2 김태현 대구광역시 수성구
3 김찬민 대구광역시 달서구
4 박나연 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0324929-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0070071-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0477094-30
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0763524-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
기판 상에 텅스텐 전구체(precursor)인 W(CO)6를 공급하는 단계;상기 텅스텐 전구체를 퍼지(purge)하는 단계;반응가스인 황화수소(H2S)를 공급하는 단계; 및상기 반응가스를 퍼지하는 단계;를 포함하며,상기 반응가스를 공급하는 단계에서는 플라즈마를 이용하여, 추가적인 후속 공정 없이 기판 상에 직접 이황화텅스텐(WS2) 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 이황화텅스텐 박막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이황화텅스텐 박막은 300~400℃에서 형성하는 것을 특징으로 하는 이황화텅스텐 박막 형성 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 텅스텐 전구체는는 10~15초 동안 공급하며, 상기 반응가스는 10~15초 동안 공급하는 것을 특징으로 하는 이황화텅스텐 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 영남대학교 산학협력단 산업연계 교육활성화 선도대학(PRIME)사업 산업연계 교육활성화 선도대학사업-영남대학교(원자층 증착법을 이용한 MoNx 구리 배선 확산 방지막 적용에 대한 연구)