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기판상에 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극을 순차 적층 및 패터닝하여 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극의 외측으로 산화물 반도체를 증착 및 패터닝하여 상기 금속 전극 측면에 활성층을 형성하는 제 2 단계; 및열처리를 통하여 상기 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 1 단계는,상기 기판상에 제 1 전도성 박막을 형성하는 단계;제 1 전도성 박막을 패터닝하여 제 1 산화물 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 산화물 전극상에 금속 전극을 형성하기 위한 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막을 패터닝하여 금속 전극을 형성하는 단계;상기 금속 전극의 상측에 제 2 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 제 2 전도성 박막을 패터닝하여 제 2 산화물 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 금속 박막을 형성하는 단계는, 상기 패터닝된 제 1 산화물 전극 및 노출된 기판상에 금속 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 전도성 박막을 형성하는 단계는, 상측으로 노출된 기판의 상측 외곽, 상기 제 1 산화물 전극의 상면 일측, 및 상기 금속 전극의 상측에 전도성 박막을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판상에 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극을 순차 적층 및 패터닝하여 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극의 외측으로 산화물 반도체를 증착 및 패터닝하여 상기 금속 전극 측면에 활성층을 형성하는 제 2 단계; 및열처리를 통하여 상기 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계를 포함하며,상기 제 1 단계는,상기 기판상에 제 1 전도성 박막을 형성하는 단계;제 1 전도성 박막을 패터닝하여 제 1 산화물 전극을 형성하는 단계;상기 패터닝된 제 1 산화물 전극 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막상에 금속 전극을 형성하기 위한 금속 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막 및 금속 박막 패터닝하여 금속 전극을 형성하는 단계;상기 패터닝된 금속 전극 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막 상에 제 2 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 제 2 전도성 박막을 패터닝하여 제 2 산화물 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 절연막을 형성하는 단계에서는, 상기 패터닝된 제 1 산화물 전극 및 노출된 기판상에 제 1 절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 2 절연막을 형성하는 단계에서는, 상기 패터닝된 금속 전극 및 노출된 기판 상부 전체에 제 2 절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판상에 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극을 순차 적층 및 패터닝하여 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극의 외측으로 산화물 반도체를 증착 및 패터닝하여 상기 금속 전극 측면에 활성층을 형성하는 제 2 단계; 및열처리를 통하여 상기 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 1 산화물 전극, 상기 금속 전극, 및 상기 2 산화물 전극의 형성은 기판상에 쉐도우 마스크를 배치하여 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판상에 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극을 순차 적층 및 패터닝하여 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극의 외측으로 산화물 반도체를 증착 및 패터닝하여 상기 금속 전극 측면에 활성층을 형성하는 제 2 단계; 및열처리를 통하여 상기 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 2 단계는,외부로 노출된 상기 제 1 산화물 전극의 상면 일측, 상기 금속 전극의 일측 단부면, 및 상기 제 2 산화물 전극의 상면 및 측면 전체에 산화물 반도체를 증착하는 단계; 및상기 산화물 반도체를 패터닝하여 상기 제 1 산화물 전극의 상면 일측, 상기 금속 전극의 일측 단부면, 상기 금속 전극의 일측 단부면과 일직선을 이루는 상기 상기 제 2 산화물 전극의 일측면, 및 상기 제 2 산화물 전극의 상측면 일부에 걸쳐서 상기 활성층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판상에 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극을 순차 적층 및 패터닝하여 형성하는 제 1 단계;상기 제 1 산화물 전극, 금속 전극, 및 제 2 산화물 전극의 외측으로 산화물 반도체를 증착 및 패터닝하여 상기 금속 전극 측면에 활성층을 형성하는 제 2 단계; 및열처리를 통하여 상기 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 3 단계에서는,상기 금속 전극의 전체 계면을 따라 산화되어 계면 산화에 의해 상기 금속 전극과 상기 제 1 및 2 산화물 전극 및 상기 활성층 사이에 상기 게이트 절연막이 형성되어지는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 열처리로 인해 산화물인 상기 제 1 및 2 산화물 전극 및 상기 활성층의 산소(O) 결합이 끊어지며, 산소(O)는 게이트 전극인 금속 전극과 결합되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 계면 산화시에 상기 금속 전극에 양의 전압을 가하거나 산소분위기에서 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
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