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기판 상에 산화물 반도체를 증착하여 채널로서 활성층을 형성하는 제 1 단계;상기 활성층 상에 게이트 전극을 형성하는 제 2 단계;열처리를 통하여 상기 게이트 전극의 계면을 산화시켜 상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에 게이트 절연막을 형성하는 제 3 단계; 및상기 게이트 전극 외측으로 소스 및 드레인 전극을 형성하여 상기 활성층과 전기적으로 연결시키는 제 4 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며,상기 제 3 단계는,상기 열처리로 인해 산화물 반도체인 활성층의 O 결합이 끊어지며, O는 상기 게이트 전극과 결합되는 것을 특징으로 하고, 상기 계면 산화시에 상기 게이트 전극에 양의 전압을 가하거나 산소분위기에서 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는, 박막 트랜지스터 기재로서 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 상면에 산화물 반도체를 증착하여 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체를 패터닝하여 일정 폭의 채널인 활성층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘 기판, 유리 기판, 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 비정질 인듐(In)·갈륨(Ga)·산화아연(ZnO) 물질인 이그조(IGZO) 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 산화물 반도체의 증착은 스퍼터링, 화학기상 증착법, 물리기상 증착법, 원자층 증착법, 전자빔 증착법, 및 증기법(evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 수행하고, 상기 활성층의 형성은 포토 마스크를 사용하는 포토리소그라피 공정을 적용하여 습식 식각 또는 건식 식각으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계는, 상기 활성층 및 상측으로 노출된 기판 상에 게이트 금속 박막을 증착하는 단계; 및 상기 게이트 금속 박막을 패터닝하여 상기 활성층의 상측 중앙에 상기 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극의 좌우 폭은 상기 활성층의 좌우 폭보다 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 금속 박막은 산화물과 쉽게 반응할 수 있는 Cs, Al, Ti, 및 Mo 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 금속 박막의 증착은 스퍼터링, 화학기상 증착법, 물리기상 증착법, 원자층 증착법, 전자빔 증착법, 및 증기법(evaporation) 중 어느 하나에 의해 수행되며, 상기 게이트 전극의 형성은 포토 마스크를 사용하는 포토리소그라피 공정을 적용하여 습식 식각 또는 건식 식각으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 활성층의 계면 반응 및 자기 정렬에 의해 상기 게이트 전극의 폭 크기만큼의 상기 게이트 절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계는,상기 기판의 노출된 상면의 외곽부, 상기 게이트 전극의 노출된 상면 및 측면, 상기 게이트 절연막의 노출된 양측면, 상기 게이트 절연막을 통해 외측으로 노출된 활성층의 외곽부 상에 층간 절연막을 증착하는 단계;상기 층간 절연막의 외곽부를 식각하여 전극 연결을 위한 제 1 및 제 2 비아홀을 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 비아홀이 형성된 층간 절연막의 상측으로 전도성 박막을 증착하는 단계; 및상기 전도성 박막을 패터닝하여 상기 제 1 및 제 2 비아홀 영역에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 상기 활성층의 외곽 노출부에 접합되어 전기적으로 연결시켜 소자를 완성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 층간 절연막의 증착 및 상기 전도성 박막의 증착은 스퍼터링, 화학기상 증착법, 물리기상 증착법, 원자층 증착법, 전자빔 증착법, 및 증기법(evaporation) 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 전도성 박막은 전도성 산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 AZO (aluminum zinc oxide)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항 내지 9항, 11항, 13항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 자기 정렬 박막 트랜지스터
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