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반도체 칩간 광통신 방법으로서,전기 신호를 광 신호로 변환하는 단계;제1 기판상에 구비된 광 발신기를 이용하여 상기 제1 기판의 위 또는 아래에 위치한 제2 기판으로 광 신호를 송신하는 단계;상기 제2 기판상에 구비된 광 검출기를 이용하여 상기 광 신호를 수신하는 단계; 및상기 수신된 광 신호를 전기 신호로 변환하는 단계를 포함하되,상기 제1 기판 및 제2 기판은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 및 실리콘 저마늄(SiGe) 중 적어도 하나를 포함하는 화합물 반도체로 구성되며,상기 광 신호는 상기 화합물 반도체를 투과할 수 있는 1
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제1항에 있어서,상기 레이저 및 광 검출소자는, 안티몬(Sb) 기반의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 광 신호는 중적외선 파장 대역의 광으로서, 상기 제1 기판 및 제2 기판에 대하여 임계치 이상의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에는 상기 광 신호에 대해 투명한 적어도 하나의 기판이 더 적층되는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 레이저 및 광 검출 소자는, 각각 갈륨안티몬(GaSb), 인듐인(InP), 갈륨비소(GaAs), 인듐비소(InAs), 질화인듐(InN), HgCdTe, 황화납/셀레늄화납 (PbS/PbSe), 2차원탄소물질, 2차원 질화보론 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 기판은, 상기 광 발신기로부터 송신된 광 신호를 위 또는 아래 방향으로 송신하기 위해, 다수의 요철로 구성된 그레이팅(grating) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 광 발신기는, 광 신호를 위 방향으로 송신하기 위한 경사를 갖는 미러를 포함하거나,신호를 아래 방향으로 송신하기 위한 경사를 갖는 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항에 있어서,상기 광 발신기는, 광 신호를 위 방향 또는 수직 방향으로 송신하기 위한 VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser) 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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제1항 내지 제3항, 제5항, 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 발신기 및 광 검출기는 에피택셜 리프트-오프(Epitaxial Lift-Off) 공정에 의해 상기 제1 기판 및 제2 기판상에 집적되는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩간 광통신 방법
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