| 1 |
1
스테인리스 또는 텅스텐으로 형성되는 기판;상기 기판에 Nb 도핑된 N형 금속산화물로 형성되는 금속산화물층; 및상기 금속산화물층과 이종접합(heterojunction) 구조를 형성하는 P형 전도성 고분자로 구비되는 폴리머층;을 포함하고,상기 금속산화물층의 Nb 도핑양은, Nb 도핑된 N형 금속산화물의 총중량 대비 3 내지 4
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 금속산화물층을 형성하는 금속산화물은,산화아연(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 산화텅스텐(WO3) 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 폴리머층을 형성하는 전도성 고분자는,폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole) 및 폴리티오펜(polythiophene) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 4 |
4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물층은,화학증착(chemical bath deposition) 공정을 통해 증착되고,상기 폴리머층은,전착(electrodeposition) 공정을 통해 증착되며, 그 전착 시간에 따라 센서 민감도가 조절되도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 5 |
5
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물층은, 20mL 에탄올에 첨가된 0
|
| 6 |
6
(1) 스테인리스 또는 텅스텐으로 형성된 기판에 Nb 도핑된 N형 금속산화물을 포함하는 금속산화물층을 증착하는 단계; 및(2) 상기 금속산화물층에 P형 전도성 고분자를 포함하는 폴리머층을 증착하여, 상기 금속산화물층과 이종접합(heterojunction) 구조를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 (1)단계에서 상기 금속산화물층의 Nb 도핑양은, Nb 도핑된 N형 금속산화물의 총중량 대비 3 내지 4
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 제 (1)단계에서 상기 금속산화물층을 형성하는 금속산화물은,산화아연(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 산화텅스텐(WO3) 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서,상기 제 (2)단계에서 상기 폴리머층을 형성하는 전도성 고분자는,폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole) 및 폴리티오펜(polythiophene) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
|
| 9 |
9
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 (1)단계는,화학증착(chemical bath deposition) 공정을 통해 상기 금속산화물층을 증착하고,상기 제 (2)단계는,전착(electrodeposition) 공정을 통해 상기 폴리머층을 증착하되, 상기 폴리머층의 전착 시간을 조절하여 센서 민감도를 조절하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
|
| 10 |
10
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 (1)단계는,20mL 에탄올에 첨가된 0
|
