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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 반사 방지패턴 및 희생패턴이 순차적으로 적층된 패턴 구조체를 형성하는 단계; 상기 패턴 구조체를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 시드막을 형성하는 단계; 상기 희생패턴 상에 형성된 상기 시드막은 제거되고, 상기 반사 방지패턴 사이의 상기 반도체 기판 상부면에는 상기 시드막이 잔존되도록, 상기 희생패턴을 제거하는 단계; 및 상기 반사 방지패턴 사이의 잔존된 상기 시드막 상에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 패턴 구조체를 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 상기 반사 방지막 상에 희생막을 형성하는 단계; 및상기 반사 방지막 및 상기 희생막을 패터닝하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 반사 방지막 및 상기 희생막은, 인시츄(in-situ) 공정을 통해 형성되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 반사 방지막 및 상기 희생막은 PECVD 공정으로 형성되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 반사 방지막 및 상기 희생막은 레이저를 통하여, 동시에 패터닝되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 금속 전극은, 도금되어 형성되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 시드막을 형성하는 단계는, 상기 시드막이, 상기 패턴 구조체 사이에 노출된 상기 반도체 기판의 상부면, 및 상기 패턴 구조체의 상부면을 덮도록 형성되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계는, 제1 도전형 Si 기판을 준비하는 단계; 및 상기 제1 도전형 Si 기판 상에 제2 도전형 도펀트를 도핑하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계 후 상기 적층 구조체를 형성하는 단계 전,상기 반도체 기판 상에 전도막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 전도막은, ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 반사 방지패턴; 상기 반사 방지패턴 사이에 노출된 상기 반도체 기판의 상부면을 덮고, 상기 반사 방지패턴 사이에 배치되는 시드막; 및 상기 반사 방지패턴 사이의 상기 시드막 상에 배치되는 금속 전극을 포함하는 태양 전지
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제11 항에 있어서, 상기 금속 전극은, 상기 반사 방지패턴의 적어도 일부를 덮는 태양 전지
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제11 항에 있어서, 상기 금속 전극은, 상기 반도체 기판을 덮고 상기 반사 방지패턴을 노출시키는 태양 전지
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제11 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상부면으로부터 상기 반사 방지막의 상부면까지의 높이는, 상기 반도체 기판의 상부면으로부터 상기 금속 전극의 상부면까지의 높이보다 낮은 것을 포함하는 태양 전지
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제11 항에 있어서, 상기 반사 방지막은, Si3N4를 포함하는 금속 도금 패턴
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