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1
제1 전극부 상에 배치되는 제1 중간층; 상기 제1 중간층 상에 배치되는 광활성층; 상기 광활성층 상에 배치되는 제2 중간층; 및 상기 제2중간층 상에 배치되는 제2 전극부을 포함하고, 상기 제2 전극부는, 상기 제2 중간층 상에 배치되는 제1 반사층, 상기 제1반사층에 마주하는 방향에 배치되는 제2반사층 및 상기 제1 반사층과 제2 반사층의 이격 간격 사이에 배치되는 광학스페이서를 포함하며, 상기 광학스페이서의 형성두께에 따라 목표 파장을 상기 광활성층 방향으로 제공하는 것을 특징으로 하고,외부광이 상기 제2 전극부를 통과하면서 목표 파장만 상기 광활성층 방향으로 제공되고, 상기 광활성층은 상기 제공된 목표 파장의 광을 전기에너지로 바꾸는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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2
제 1항에 있어서, 상기 제2 전극부는 단일 또는 복수로 배치되고, 상기 단일 제2 전극부는 120nm 내지 250 nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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3
제 1항에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층은 금, 은, 알루미늄 및 이들을 혼합한 혼합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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4
제 1항에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층 각각은 10nm 내지 30 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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5
제 1항에 있어서, 상기 광학 스페이서는 AgCl, LiF, NaCl, KCl 및 이들을 혼합한 혼합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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6
제 1항에 있어서, 상기 광학 스페이서는 80 내지 200nm범위 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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7
제 1항에 있어서, 상기 광활성층은 전색성의 유기재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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8
제 1항에 있어서, 상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층은 암전류 및 광전류 조절을 위해 ZnO, MoO3, NiO, TiO2 및 이들의 혼합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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9
제 1항에 있어서, 상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층은 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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10
제 1항에 있어서, 상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층 각각은 20nm 내지 120nm범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광다이오드
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11
단위픽셀을 포함하는 기판; 상기 기판의 단위픽셀에 배치된 금속배선을 포함하는 층간절연막;상기 층간절연막 상에 상기 단위픽셀들에 각각 배치된 제1전극부, 상기 제1 전극부 상에 배치되는 제1 중간층, 상기 제1 중간층 상에 배치되는 광활성층, 상기 광활성층 상에 배치되는 제2 중간층 및 상기 제2중간층 상에 배치되는 제2 전극부가 상기 단위픽셀들에 각각 형성된 유기 광다이오드; 를 포함하고, 상기 제2 전극부는, 상기 제2 중간층 상에 배치되는 제1 반사층, 상기 제1반사층에 마주하는 방향에 배치되는 제2반사층 및 상기 제1 반사층과 제2 반사층의 이격 간격 사이에 배치되는 광학 스페이서를 포함하며, 상기 단위픽셀 별로 상이하게 형성된 상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 목표 파장을 상기 광활성층 방향으로 제공하고,외부광이 상기 제2 전극부를 통과하면서 목표 파장만 상기 광활성층 방향으로 제공되고, 상기 광활성층은 상기 제공된 목표 파장의 광을 전기에너지로 바꾸는 것을 특징으로 하고,상기 단위픽셀 별로 상기 광학 스페이서의 형성두께가 상이하게 배치된 상기 유기 광다이오드는, 인접한 단위픽셀에 배치된 유기 광다이오드와 높이 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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12
제 11항에 있어서, 상기 제2 전극부는 단일 또는 복수로 배치되고, 상기 단일 제2 전극부는 120nm 내지 250 nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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13
제 11항에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층은 금, 은, 알루미늄 및 이들을 혼합한 혼합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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14
제 11항에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층은 10nm 내지 30 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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15
제 11항에 있어서, 상기 광학 스페이서는 AgCl, LiF, NaCl, KCl 및 이들을 혼합한 혼합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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16
제 11항에 있어서, 상기 광학 스페이서는 80 내지 200nm범위 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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17
제 11항에 있어서, 상기 단위픽셀들에 각각 배치된 상기 유기 광다이오드는,상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제1 유기 광다이오드가 배치된 제1 수광영역, 상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제2 유기 광다이오드가 배치된 제2 수광영역 및 상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제3 유기 광다이오드가 배치된 제3 수광영역으로 구획된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제 17항에 있어서, 상기 제1 내지 3 수광영역에서 상기 단위픽셀 별로 배치된 상기 광활성층 및 상기 제2 중간층은 동일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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19
제 17항에 있어서, 상기 제1 수광영역에는 제1 두께로 형성된 제1광학 스페이서가 구비된 제2R 전극부가 배치되고, 상기 제2 수광영역에는 제2 두께로 형성된 제2광학 스페이서가 구비된 제2G 전극부가 배치될 수 있고, 상기 제3 수광영역에는 제3 두께로 형성된 제3광학 스페이서가 구비된 제2B 전극부가 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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20
제 19항에 있어서, 상기 제1 수광영역 상에서 상기 제1 광학스페이서는 160 내지 170nm 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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21
제 19항에 있어서, 상기 제2 수광영역 상에서 상기 제2 광학 스페이서는 140 내지 150nm 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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22
제 19항에 있어서, 상기 제3 수광영역 상에서 상기 제3 광학 스페이서는 100 내지 110nm 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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23
청구항 제 1항을 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기
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24
청구항 제 1항을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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25
기판 상에 단위픽셀 별로 형성된 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 상에 단위픽셀 별로 형성되는 제1 전극부를 형성하는 단계; 상기 제1 전극부를 포함하는 층간 절연막 상에 제1 중간층을 형성하고, 상기 제1 중간층 상에 광활성층을 형성하고, 상기 광활성층 상에 제2 중간층을 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 제2 중간층 상에 단위픽셀 별로 제1 반사층을 형성하는 단계, 상기 제1 반사층 상에 단위픽셀 별로 상이한 두께로 형성되는 광학 스페이서를 형성하는 단계 및 상기 광학 스페이서 상에 단위픽셀 별로 제2 반사층을 순차적으로 형성하여 제2 전극부를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 전극부를 형성하는 단계는, 상기 광학 스페이서가 동일한 두께로 형성되는 단위픽셀들은 하나의 새도우 마스크로 상기 제1 반사층, 광학 스페이서 및 제2 반사층을 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하고,외부광이 상기 제2 전극부를 통과하면서 목표 파장만 상기 광활성층 방향으로 제공되고, 상기 광활성층은 상기 제공된 목표 파장의 광을 전기에너지로 바꾸는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 제2 전극부를 형성하는 단계는, 상기 광학 스페이서가 제1 두께로 형성되는 단위픽셀들은 제1 새도우 마스크로 상기 제1 반사층, 광학 스페이서 및 제2 반사층을 형성하고, 상기 광학 스페이서가 제2 두께로 형성되는 단위픽셀들은 제2 새도우 마스크로 상기 제1 반사층, 광학 스페이서 및 제2 반사층을 형성하고,상기 광학 스페이서가 제3 두께로 형성되는 단위픽셀들은 제3 새도우 마스크로 상기 제1 반사층, 광학 스페이서 및 제2 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 층간절연막 상에 단위픽셀 별로 형성되는 제1 전극부를 형성하는 단계 에 있어서, 상기 층간절연막 상에 상기 금속배선을 노출시키고 상기 노출된 금속배선 상에 상기 제1 전극부를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 제1 전극부를 포함하는 층간 절연막 상에 제1 중간층을 형성하는 단계는, 상기 제1 중간층의 상부면이 평탄면으로 형성되도록 상기 제1 전극부를 커버하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 제1 전극부를 포함하는 층간 절연막 상에 제1 중간층을 형성하고, 상기 제1중간층 상에 광활성층을 형성하고, 상기 광활성층 상에 제2 중간층을 순차적으로 형성하는 단계에 있어서,상기 광활성층 및 제2 중간층은 상기 기판의 전면(whole surface)에 동일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 단위픽셀들에 각각 배치된 상기 제2 전극부는,상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제1 광학 스페이서가 배치된 제1 수광영역, 상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제2 광학 스페이서가 배치된 제2 수광영역 및 상기 광학 스페이서의 형성두께에 따라 제3 광학 스페이서가 배치된 제3 수광영역으로 구획된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 30항에 있어서, 상기 제2 중간층 상에 제2 전극부를 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 전극부의 제1 수광영역에 제2R 전극부를 형성하는 단계, 상기 제2 전극부의 제2 수광영역에 제2G 전극부를 형성화는 단계, 및 상기 제2 전극부의 제3 수광영역에 제2B 전극부를 형성하는 단계를 순차적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 30항에 있어서, 상기 단위픽셀 별로 형성두께가 상이하게 배치된 상기 광학 스페이서는, 인접한 단위픽셀에 배치된 상기 광학 스페이서와 높이 단차가 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법
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제 25항에 있어서, 상기 제1 반사층, 광학 스페이서 및 제2 반사층은 0
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