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금속 및 금속산화물 전극층이 증착된 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 층을 노광시켜 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 따라 상기 기판을 에칭하는 단계; 및상기 포토레즈스트 패턴을 박리하기 위한 박리액을 노즐을 통해 상기 기판에 분사하여 상기 포토레지스트 층을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계를 포함하고,상기 박리액을 상기 노즐을 통해 분사하는 단계는,상기 박리액의 수정 웨버수, 액적 크기 및 상기 기판에 대한 충격력 중 적어도 하나를 고려하여 상기 박리액을 상기 기판에 분사하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 박리액의 조성비는 염기성 화합물: THFA(Tetrahydrofurfuryl Alcohol): CD(Cyclodextrine): BTZ: 물 = 21: 8: 4: 1: 66인 것을 특징으로 하고,상기 물의 함량은 78%의 비중까지 증가가 가능한 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 수정 웨버수는 다음의 수학식을 이용하여 산출하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 액적 크기는 다음의 수학식을 이용하여 산출하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 충격력은 다음의 수학식을 이용하여 산출하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트의 박리 방법은,상기 박리액을 상기 노즐을 통해 상기 기판에 분사한 후에, 상기 기판을 상기 박리액에 침지하여 상기 포토레지스트 층을 상기 기판으로부터 박리시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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