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양자점 박막, 이의 패터닝 방법 및 이를 적용한 양자점 발광소자

  • 기술번호 : KST2019019812
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 박막은 아지드기(azide group) 를 2개 이상 포함하는 광가교제(photo crosslinker)가 양자점의 리간드 사이를 가교시켜 형성된 것이다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01)
출원번호/일자 1020180040804 (2018.04.09)
출원인 숭실대학교산학협력단, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0117890 (2019.10.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강문성 서울특별시 종로구
2 조정호 서울특별시 강남구
3 양지혜 경기도 부천시 도약로 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
2 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0348352-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2019-0011365-19
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0305372-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0532062-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0976093-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1070870-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1070869-16
9 등록결정서
Decision to grant
2020.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0129169-62
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번호 청구항
1 1
양자점 박막에 있어서,상기 양자점 박막은 아지드기(azide group) 를 2개 이상 포함하는 광가교제(photo crosslinker)가 어느 하나의 양자점의 리간드와 다른 양자점의 리간드 사이를 가교시켜 형성된 것이고,상기 양자점은 알킬기를 포함하는 리간드를 포함하는 것인, 양자점 박막
2 2
제1항에 있어서,상기 양자점 박막이 제 1 양자점 패턴, 제 2 양자점 패턴 및 제 3 양자점 패턴으로 패터닝된 것인, 양자점 박막
3 3
양자점 패턴이 형성된 기판에 있어서,기판 상에 제 1 양자점 패턴, 제 2 양자점 패턴 및 제 3 양자점 패턴으로 패터닝된 양자점 박막을 포함하되,상기 양자점 박막은 아지드기를 2개 이상 포함하는 광가교제가 어느 하나의 양자점의 리간드와 다른 양자점의 리간드 사이를 가교시켜 형성된 것이고,상기 양자점은 알킬기를 포함하는 리간드를 포함하는 것인, 양자점 패턴이 형성된 기판
4 4
제3항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 양자점 패턴은 서로 상이한 크기의 제 1 내지 제 3 양자점을 포함하는 것인, 기판
5 5
제4항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 양자점은 각각 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 컬러를 발광하는 것인, 기판
6 6
제4항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 양자점 패턴은 기판 상의 동일한 층에 나란히 형성되어 있는 것인, 기판
7 7
제4항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 양자점 패턴은 상기 기판 상에 수직으로 적층되도록 형성되어 있는 것인, 기판
8 8
제4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 양자점 패턴은 기판 상의 동일한 층에 나란히 형성되어 있고, 상기 제 3 양자점 패턴은 상기 제 1 및 제 2 양자점 패턴 상에 형성된 것인, 기판
9 9
양자점 발광소자에 있어서,제 1 전극;상기 제 1 전극과 이격된 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 배치된, 제1항에 따른 양자점 박막을 포함하는 양자점 발광소자
10 10
양자점 패턴의 형성 방법에 있어서, (a) 기판 상에 양자점 및 아지드기를 2개 이상 포함하는 광가교제를 포함하는 용액을 도포하여 양자점층을 형성하는 단계;(b) 상기 양자점층 상에 패턴이 형성된 마스크를 배치한 후 노광하는 단계; 및(c) 상기 양자점층의 비노광된 영역을 제거하여 양자점 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,상기 양자점층은 상기 아지드기를 2개 이상 포함하는 광가교제가 어느 하나의 양자점의 리간드와 다른 양자점의 리간드 사이를 가교시켜 형성되는 것이고,상기 양자점은 알킬기를 포함하는 리간드를 포함하는 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 (a) 내지 (c)의 단계를 3회 반복하여 제 1 내지 제 3 양자점 패턴을 형성하는 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제 1, 제 2 및 제 3 양자점 패턴이 서로 상이한 크기의 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 컬러를 발광하는 양자점을 포함하는 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 양자점 패턴은 기판 상의 동일한 층에 나란히 형성되는 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 양자점 패턴이 상기 기판 상에 수직으로 적층되도록 형성되는 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
15 15
제11항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 양자점 패턴은 기판 상의 동일한 층에 나란히 형성되어 있고, 상기 제 3 양자점 패턴은 상기 제 1 및 제 2 양자점 패턴 상에 형성된 것인, 양자점 패턴의 형성 방법
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1 US20190312204 US 미국 FAMILY

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1 US2019312204 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 숭실대학교 산학협력단 2017년 선정 신진연구 1차년도 양자점 패터닝 공정 개발 및 수직형 발광트랜지스터 구조 도입을 통한 차세대 디스플레이 소자 연구