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붕소후면전계 태양전지를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 있어서,(a) 실리콘 웨이퍼의 일면에 탈이온수에 희석시킨 붕산을 코팅하는 단계;(b) 둘 이상의 도펀트가 혼합된 인 소스를 상기 실리콘 웨이퍼의 타면에 코팅하는 단계;(c) 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리하여 상기 (a) 단계에 따른 붕소 및 상기 (b) 단계에 따른 인의 확산 공정을 동시에 수행하는 단계;(d) 붕소가 확산된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 알루미늄 글라스를 코팅하는 단계;(e) 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리하여 상기 알루미늄 글라스로 상기 실리콘 웨이퍼 내부의 불순물을 게더링하는 단계;(f) 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭함에 따라 상기 (c) 단계에 따라 생성된 붕소풍부층과 상기 (d) 단계에 따른 상기 알루미늄 글라스가 동시에 제거되는 단계를 포함하며,상기 (a), (b) 및 (d) 단계에서 수행되는 코팅은 스핀 코팅이고, 상기 알루미늄 글라스는 알루미늄 스핀 온 글라스이며,상기 (f) 단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 불산(HF)으로 에칭하여 상기 (c) 단계에 따라 생성된 붕소풍부층과 상기 (d) 단계에 따른 상기 알루미늄 글라스를 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 60 ㎛ 이하의 두께를 갖는 박형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 붕산은 메타붕산(HBO2) 또는 산화 붕소(B2O3)의 수화물이고,상기 인 소스는 산화규소(SiO2)와 오산화인(P2O5)이 혼합된 페이스트 형태로 형성되며, 오산화인(P2O5)의 질량비가 0
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에 상기 실리콘 웨이퍼를 친수화시키는 (a-1) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에 의해 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에는 인 에미터 및 인실리케이트글라스가 차례로 형성되고, 상기 실리콘 웨이퍼의 타면에는 붕소후면전계, 붕소풍부층 및 붕소실리케이트글라스가 차례로 형성되며, 상기 (f) 단계는 불산으로 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 상기 인실리케이트글라스, 상기 붕소풍부층 및 상기 붕소실리케이트글라스를 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계는 제1 온도에서 상기 실리콘 웨이퍼를 베이킹하는 과정과 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리하여 상기 붕산 및 인의 확산 공정을 수행하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제6항에 있어서상기 (e) 단계는 제3온도에서 상기 실리콘 웨이퍼를 베이킹하는 과정과 상기 제3온도보다 높은 제4온도에서 상기 실리콘 웨이퍼를 큐어링 하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항에 있어서상기 (c) 단계는 질소 분위기의 급속 열 처리기를 이용하여 수행되고,상기 (e) 단계는 산소와 질소가 혼합된 분위기의 급속 열 처리기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 온도 및 제3 온도는 130℃ 내지 450℃이고, 상기 제2 온도는 800℃ 내지 950℃이며, 상기 제4 온도는 700℃ 내지900℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법
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제1항의 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제1항의 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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