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일면 상에 트렌치가 형성된 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 상기 일면 상에 배치된 액체 금속 패턴; 및상기 액체 금속 패턴 상에 배치되고, 상기 베이스 기판 및 상기 액체 금속 패턴과 맞닿는 보호층을 포함하되,상기 액체 금속 패턴은 상기 베이스 기판의 트렌치에 비해 상대적으로 돌출된 부분 상에 배치되고,상기 보호층은 상기 트렌치를 적어도 부분적으로 충진하고,평면 시점에서, 서로 인접한 액체 금속 패턴 사이에는 상기 보호층이 위치하는 도전성 패턴 기판
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제1항에 있어서,상기 액체 금속 패턴의 두께는 상기 트렌치의 최대 깊이 보다 크고,상기 액체 금속 패턴은 상기 트렌치와 비중첩하는 도전성 패턴 기판
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일면 상에 트렌치가 형성된 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 상기 일면 상에 배치된 액체 금속 패턴; 및상기 액체 금속 상에 배치된 보호층을 포함하되,상기 액체 금속 패턴은 상기 베이스 기판의 트렌치에 비해 상대적으로 돌출된 부분 상에 배치되고,상기 액체 금속 패턴은, 상호 이격되어 서로 비도통 상태인 제1 액체 금속 패턴 및 제2 액체 금속 패턴을 포함하고,상기 제1 액체 금속 패턴은,제1 방향으로 연장된 제1 부분,상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 부분, 및상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 제2 방향과 교차하는 방향으로 연장된 제3 부분을 포함하고,상기 제2 액체 금속 패턴은,상기 제1 액체 금속 패턴의 제1 부분과 평행하게 연장된 제1 부분,상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 부분과 상이한 방향으로 연장된 제2 부분, 및상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 액체 금속 패턴의 제3 부분과 평행하게 연장된 제3 부분을 포함하는, 도전성 패턴 기판
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제4항에 있어서,평면 시점에서, 상기 제1 액체 금속 패턴의 제1 부분은, 상기 제2 액체 금속 패턴의 제1 부분과 제3 부분 사이에 위치하고,평면 시점에서, 상기 제1 액체 금속 패턴의 제3 부분은, 상기 제1 액체 금속 패턴의 제1 부분과 상기 제2 액체 금속 패턴의 제3 부분 사이에 위치하고,상기 도전성 패턴 기판은, 상기 베이스 기판과 상기 보호층 사이에 배치되는 고유전층을 더 포함하되,상기 고유전층은 상기 제1 액체 금속 패턴의 제1 부분과 상기 제2 액체 금속 패턴의 제1 부분 사이, 및 상기 제1 액체 금속 패턴의 제3 부분과 상기 제2 액체 금속 패턴의 제3 부분 사이에 위치하되,상기 고유전층은 상기 제1 액체 금속 패턴의 제1 부분과 제3 부분 사이에는 위치하지 않는, 도전성 패턴 기판
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제5항에 있어서,상기 고유전층은 상기 트렌치와 중첩하지 않는 도전성 패턴 기판
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베이스 기판 상에 금속 입자를 도포하는 단계로서, 표면의 산화막에 의해 내부의 액체 금속이 캡슐레이션된 입자 상태의 상기 금속 입자를 도포하는 단계;스탬프로 상기 금속 입자를 가압하여 액체 상태의 도전성 패턴을 형성하는 단계로서, 상기 스탬프에 의해 가압되는 금속 입자를 적어도 부분적으로 액체화시켜 도전성 패턴을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 상에 상기 스탬프가 배치된 상태에서, 상기 스탬프에 의해 커버되지 않는 부분의 금속 입자를 제거하는 단계; 및상기 금속 입자를 제거한 후에, 상기 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 금속 입자의 평균 입도는 100nm 내지 300nm인, 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 금속 입자를 제거하는 단계와 상기 스탬프를 제거하는 단계 사이에,상기 금속 입자가 제거되어 노출된 상기 베이스 기판의 표면 상에 부분적으로 고유전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 베이스 기판, 상기 도전성 패턴 및 상기 고유전층과 맞닿도록 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제7항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법을 통해 제조된 도전성 패턴 기판
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