| [KST2015134192][고려대학교] |
발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법 |
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| [KST2019023360][고려대학교] |
수직형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2017016546][고려대학교] |
광 추출 효율 개선을 위한 LED 소자(light emitting diodes for enhancing light extraction efficiency) |
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| [KST2015134475][고려대학교] |
투명전극을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2016014528][고려대학교] |
발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템(LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE HAVING THE SAME, AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME) |
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| [KST2021001217][고려대학교] |
발광소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2019001745][고려대학교] |
반도체소자 및 반도체소자 제조방법 |
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| [KST2017007564][고려대학교] |
질화물계 발광 소자 및 이의 제조방법(n-type nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same) |
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| [KST2015012508][고려대학교] |
투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법 |
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| [KST2017017852][고려대학교] |
반도체 소자 및 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME) |
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| [KST2017017052][고려대학교] |
광추출효율 향상을 위한 p-형 오믹 접합 전극 패턴을 구비한 자외선 발광 다이오드 소자(Ultraviolet Light-Emitting Diode with p-type ohmic contact electrode pattern to enhance the light extraction) |
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| [KST2016012297][고려대학교] |
p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 p형 오믹 전극의 제조 방법(METHOD OF FORMING A P-TYPE SEMICONDUCTOR THIN LAYERED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A P-TYPE OHMIC ELECTRODE) |
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| [KST2015133924][고려대학교] |
수직형 발광 소자의 제조 방법 |
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| [KST2017007770][고려대학교] |
전극 구조물, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 소자(ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME) |
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| [KST2018000822][고려대학교] |
발광창 전극 구조가 구비된 고효율 발광다이오드 제작 방법(High Efficiency Light Emitting Diode Having Optical Functionalized Electrodes) |
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| [KST2021001759][고려대학교] |
발광소자 패키지 |
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| [KST2015133815][고려대학교] |
발광 소자의 제조 방법 |
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| [KST2018010181][고려대학교] |
기판 및 이를 갖는 반도체 소자 |
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| [KST2020014223][고려대학교] |
페로브스카이트막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전소자 |
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| [KST2022008491][고려대학교] |
나노 입자 기반의 반사 구조체 및 그 제조방법 |
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| [KST2022016926][고려대학교] |
금속 나노입자가 적용된 나노홀을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2019023336][고려대학교] |
p-type 반도체층 구조물 및 이를 포함하는 자외선 발광 소자 |
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| [KST2021000659][고려대학교] |
발광소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2019016771][고려대학교] |
반도체 소자 제조방법 및 제조된 반도체 소자 |
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| [KST2017017878][고려대학교] |
복수 n 콘택 구조가 구비된 발광 다이오드 소자(Light Emitting Diode With Multiple n Contact Structure) |
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| [KST2019023365][고려대학교] |
광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자 |
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| [KST2021006654][고려대학교] |
페로브스카이트막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전소자 |
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| [KST2019023317][고려대학교] |
고효율 Ga-polar 수직 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2023009975][고려대학교] |
나노 입자가 적용된 LED 로드 정렬 구조, 및 나노 입자가 적용된 LED 로드 정렬 구조의 제조 방법 |
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| [KST2023008902][고려대학교] |
정렬 도선을 포함하는 LED칩 정렬 기판, 이를 포함하는 LED칩 수직 정렬 어셈블리, 및 이를 이용하는 LED칩 수직 정렬 방법 |
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