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다층 복사 냉각 구조

  • 기술번호 : KST2019020216
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 냉각 대상에 부착되어 중적외선을 흡수 및 복사하는 복사 냉각 구조는, 제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 적어도 하나의 유전체층, 그리고 상기 제1 영역보다 짧은 파장을 포함하는 제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 적어도 하나의 금속 박막층를 포함하되, 상기 금속 박막층의 두께는 상기 금속 박막층이 가시광을 투과하도록 결정될 수 있다.
Int. CL H01L 23/373 (2006.01.01) H01L 23/367 (2006.01.01) H01L 33/64 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 31/052 (2014.01.01)
CPC H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01)
출원번호/일자 1020180067579 (2018.06.12)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2036071-0000 (2019.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.12)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선경 경기도 화성
2 조진우 경상북도 포항시 북구
3 신윤정 경기도 파주시 평화로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍석 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 **길 ***, ***호(구로동,JnK 디지털타워)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0576843-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0022437-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
5 등록결정서
Decision to grant
2019.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0749442-84
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번호 청구항
1 1
냉각 대상에 부착되어 중적외선을 흡수 및 복사하는 복사 냉각 구조에 있어서,제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 적어도 하나의 유전체층; 그리고상기 제1 영역보다 짧은 파장을 포함하는 제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 적어도 하나의 금속 박막층을 포함하되,상기 금속 박막층의 두께는 상기 금속 박막층이 가시광을 투과하도록 결정되는 복사 냉각 구조
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 박막층의 두께는 상기 금속 박막층을 구성하는 금속의 침투 깊이보다 작도록 결정되는 복사 냉각 구조
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 박막층의 두께는 상기 제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하기 위해 1nm 내지 20nm의 값을 가지는 복사 냉각 구조
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 박막층의 두께는 가시광선의 투과율 및 상기 제2 영역의 중적외선에 대한 복사율에 기초하여 결정되는 복사 냉각 구조
5 5
제1항에 있어서,상기 금속 박막층은 Ni, Ti, Au 및 Ag 중 하나로 형성되는 복사 냉각 구조
6 6
제1항에 있어서,상기 유전체층은 Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Si3N4 ,ITO 및 ZnO 중 하나로 형성되는 복사 냉각 구조
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 영역은 8㎛ 내지 20㎛의 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제2 영역은 4㎛ 내지 8㎛의 복사 파장 크기를 포함하는 복사 냉각 구조
8 8
제1항에 있어서,상기 유전체층은 상기 냉각 대상 상에 적층되고,상기 금속 박막층은 상기 유전체층 상에 적층되는 복사 냉각 구조
9 9
제1항에 있어서,상기 금속 박막층은 상기 냉각 대상 상에 적층되고,상기 유전체층은 상기 금속 박막층 상에 적층되는 복사 냉각 구조
10 10
냉각 대상에 부착되어 중적외선을 흡수 및 복사하는 복사 냉각 구조에 있어서,제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 제1 유전체층;제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 제1 유전체층 상에 형성되는 제2 유전체층; 그리고제3 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 금속 박막층을 포함하되,상기 금속 박막층은 상기 냉각 대상과 상기 제1 유전체층 사이, 상기 제1 유전체층과 제2 유전체층의 사이 또는 상기 제2 유전체층 상부 중 어느 하나의 위치에 형성되고,상기 제1 및 제2 유전체층과 상기 금속 박막층은 가시광선을 투과하는 복사 냉각 구조
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 동일한 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제3 영역은 상기 제1 및 제2 영역의 복사 파장 크기의 최솟값보다 작은 복사 파장 크기를 포함하는 복사 냉각 구조
12 12
제10항에 있어서,상기 제1 영역은 12㎛ 내지 20㎛의 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제2 영역은 8㎛ 내지 12㎛의 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제3 영역은 4㎛ 내지 8㎛의 복사 파장 크기를 포함하는 복사 냉각 구조
13 13
제10항에 있어서,상기 제1 유전체층과 상기 제2 유전체층은 서로 다른 두께 및 물질로 형성되는 복사 냉각 구조
14 14
냉각 대상에 부착되어 중적외선을 흡수 및 복사하는 복사 냉각 구조에 있어서,전자기파를 반사하며, 상기 냉각 대상 상에 형성되는 금속 반사층;제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 금속 반사층 상에 형성되는 제1 유전체층;제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 제1 유전체층 상에 형성되는 제2 유전체층; 그리고제3 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하는 금속 박막층을 포함하되,상기 금속 박막층은 상기 금속 반사층과 상기 제1 유전체층 사이, 상기 제1 유전체층과 제2 유전체층의 사이 또는 상기 제2 유전체층 상부 중 어느 하나의 위치에 형성되고,상기 제1 및 제2 유전체층과 상기 금속 박막층은 가시광선을 투과하는 복사 냉각 구조
15 15
제14항에 있어서,상기 금속 반사층과 상기 금속 박막층은 서로 다른 금속으로 형성되는 복사 냉각 구조
16 16
제14항에 있어서,상기 금속 반사층은 Ag, Al, Pd, Cu, Au 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성되고,상기 금속 박막층은 Ni, Ti, Au 및 Ag 중 하나로 형성되는 복사 냉각 구조
17 17
제14항에 있어서,상기 금속 반사층과 상기 금속 박막층은 서로 다른 두께를 가지도록 형성되는 복사 냉각 구조
18 18
제14항에 있어서,상기 금속 반사층은 50nm 내지 200nm의 두께를 가지도록 형성되고,상기 금속 박막층은 1nm 내지 20nm의 두께를 가지도록 형성되는 복사 냉각 구조
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