| 1 |
1
마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법에 있어서,입자의 크기가 40nm 내지 500nm인 마그네슘 알루미네이트 스피넬 나노분말, 입자의 크기가 40nm 내지 500nm인 알루미나 나노분말, 계면활성제 및 물을 혼합하여 수계 원료 슬러리의 전체 vol%에 대해 고상 입자 분율이 5 vol% 내지 70 vol%가 되도록 수계 원료 슬러리를 제조하는 원료 슬러리 준비 단계;상기 수계 원료 슬러리에 전단력을 가하여 단분산시키는 단분산 단계;상기 단분산 단계를 거친 상기 수계 원료 슬러리를 동결시키고 건조하여 구형 과립을 형성하는 과립 형성 단계;상기 구형 과립을 건식 성형하여 성형체를 제조하는 성형체 형성 단계;상기 성형체를 1차 소결 열처리하여 1차 소결체를 제조하는 1차 소결 단계; 및상기 1차 소결체를 불활성 기체 분위기 하에서 1,600℃ 내지 1,750℃ 온도로 150MPa 내지 200MPa의 압력을 가하며 0
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 계면활성제는,바인더, 윤활제, 가소제 및 분산제로 이루어진 군으로부터 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 수계 원료 슬러리 전체 중량 대비 상기 계면활성제는 1
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 단분산 단계는,상기 수계 원료 슬러리를 50MPa 내지 500MPa의 고압 전단력을 가하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 단분산 단계는,상기 수계 원료 슬러리 내의 응집체의 최대 크기를 100nm 이상 500nm 미만으로 단분산시키는 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 과립 형성 단계는,상기 수계 원료 슬러리를 액화질소에 분무하고 건조시켜 구형 과립을 형성하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 1차 소결 단계는,상기 성형체를 1,300℃ 내지 1,700℃ 온도로 2시간 내지 15시간 동안 소결 열처리하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 1차 소결체의 미세구조는,알루미나 결정립 크기가 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 성형체 형성 단계 이후, 상기 1차 소결 단계 이전에 상기 성형체에서 상기 계면활성제를 제거하는 탈지 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹으로서,상기 마그네슘 알루미네이트 스피넬 투명세라믹은 마그네슘 알루미네이트(MgAl2O4)의 기지상 내부에 포함된 알루미나(Al2O3)를 이용하여 결정립 성장이 억제되어 결정립 크기가 1㎛ 이상 10㎛ 미만이고,하기 화학식 1로 표현되는 조성으로 스피넬 구조의 마그네슘 알루미네이트를 포함하며,입자의 크기가 40nm 내지 500nm인 마그네슘 알루미네이트 스피넬 나노분말, 입자의 크기가 40nm 내지 500nm인 알루미나 나노분말, 계면활성제 및 물을 혼합하여 수계 원료 슬러리의 전체 vol%에 대해 고상 입자 분율이 5 vol% 내지 70 vol%가 되도록 수계 원료 슬러리가 제조되고, 상기 수계 원료 슬러리에 전단력을 가하여 단분산되고, 상기 수계 원료 슬러리가 동결건조되어 구형 과립이 형성되고, 상기 구형 과립을 건식 성형하여 성형체가 제조되고, 상기 성형체를 1차 소결 열처리하여 1차 소결체가 제조되며, 상기 1차 소결체를 불활성 기체 분위기 하에서 1,600℃ 내지 1,750℃ 온도로 150MPa 내지 200MPa의 압력을 가하며 0
|
| 17 |
17
삭제
|
