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음극활물질, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2019020419
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 음극활물질의 제조 방법이 제공된다. 상기 음극활물질의 제조 방법은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 유기 금속 구조체를 준비하는 단계, 상기 유기 금속 구조체를 열처리하여, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 단원자(single atom) 상태로 표면에 제공된 탄화 구조체를 제조하는 단계, 및 도핑 금속을 포함하는 도핑 소스 및 상기 탄화 구조체를 혼합 및 반응시켜, 상기 탄화 구조체의 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 상기 도핑 금속으로 치환된 음극활물질을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) C23C 18/54 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190044694 (2019.04.17)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0121262 (2019.10.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180044292   |   2018.04.17
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방진호 경기도 안산시 단원구
2 김희은 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0392715-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0117287-94
4 등록결정서
Decision to grant
2020.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0571091-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 유기 금속 구조체를 준비하는 단계;상기 유기 금속 구조체를 열처리하여, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 단원자(single atom) 상태로 표면에 제공된 탄화 구조체를 제조하는 단계; 및도핑 금속을 포함하는 도핑 소스 및 상기 탄화 구조체를 혼합 및 반응시켜, 상기 탄화 구조체의 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 상기 도핑 금속으로 치환된 음극활물질을 제조하는 단계를 포함하는 음극활물질의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 금속은 상기 제2 금속보다 녹는점이 높고, 상기 유기 금속 구조체는, 상기 제1 금속의 녹는점보다 낮고, 상기 제2 금속의 녹는점보다 높은 온도에서 열처리되는 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 음극활물질에서, 상기 도핑 금속, 잔존된 상기 제1 금속 및 잔존된 상기 제2 금속은 단원자 상태로 제공되는 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 도핑 금속의 함량은, 잔존된 상기 제1 금속의 함량보다 낮고, 잔존된 상기 제1 금속의 함량은, 잔존된 상기 제2 금속의 함량보다 낮은 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 유기 금속 구조체의 열처리 온도는, 상기 도핑 소스 및 상기 탄화 구조체의 반응 온도보다 높은 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 음극활물질의 마이크로 기공의 면적은, 상기 탄화 구조체의 마이크로 기공의 면적보다, 작은 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 도핑 금속은 은이고, 상기 소스는 1mM 미만 제공되는 것을 포함하는 음극활물질의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 도핑 금속은 금이고, 상기 소스는 0
9 9
탄화 구조체; 및상기 탄화 구조체의 표면에 제공된 단원자 상태의 제1 금속, 제2 금속, 및 도핑 금속을 포함하되, 상기 탄화 구조체는 복수의 마이크로 기공을 포함하고, 상기 제1 금속, 상기 제2 금속, 및 상기 도핑 금속이 상기 탄화 구조체의 복수의 상기 마이크로 기공을 채우는 것을 포함하는 음극활물질
10 10
제9 항에 있어서, 상기 제1 금속, 상기 제2 금속 및 상기 도핑 금속은 단원자 상태로 제공되어, 상기 음극활물질에 대한 XRD 분석 결과 상기 제1 금속, 상기 제2 금속, 및 상기 도핑 금속에 대응하는 피크는 관찰되지 않는 것을 포함하는 음극활물질
11 11
제9 항에 있어서, 상기 도핑 금속은, 은, 백금, 또는 금 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음극활물질
12 12
제9 항에 있어서, 상기 도핑 금속은 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속보다 높은 환원 전위 값을 갖고, 상기 제1 금속은 상기 제2 금속보다 높은 녹는점을 갖는 것을 포함하는 음극활물질
13 13
제12 항에 있어서, 상기 제2 금속의 함량이 상기 제1 금속의 함량보다 높은 것을 포함하는 음극활물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 민간기업체 삼성전자미래기술육성센터 산학협력 연구 / 산학협력 연구 / 산학협력연구 (미래기술육성)순차적 기상 반응을 이용한 고용량/고속충전용 전극소재 개발 연구