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기판의 전면 상에 멤브레인(membrane)을 형성하는 단계;상기 기판의 후면의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 멤브레인을 외부로 노출시키는 단계; 및상기 멤브레인의 노출된 면 상에 탄소박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 탄소박막은 비정질(amorphous) 탄소막으로서, 비정질 흑연(graphite)을 포함하며,상기 탄소박막을 형성하는 단계는,흑연(graphite) 타겟을 사용하여 스퍼터링 방식으로 증착하되, 섀도 마스크(shadow-cover mask)를 상기 기판의 후면에 부착한 후 상기 멤브레인 위에만 상기 비정질 탄소막을 선택적으로 증착하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 멤브레인을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막 상에 전극 박막을 형성하는 단계;포토리소그라피(photolithography) 방법을 이용하여 상기 전극 박막의 적어도 일부를 제거하여 상기 제 1 절연막 상에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴 및 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 절연막의 적어도 일부를 식각하여 제거함으로써 컨택 홀(contact hole)을 형성하고, 상기 컨택 홀을 이용하여 상기 전극 패턴과 연결되도록 금속 배선을 형성하는 단계;를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 절연막을 형성하는 단계는,LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 방법 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vacuum Deposition) 방법을 이용하여 상기 기판 상에 SiN 박막 또는 SiO2 박막을 증착하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 절연막을 형성하는 단계는,PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vacuum Deposition) 방법을 이용하여 상기 전극 패턴 및 상기 제 1 절연막 상에 SiN 박막과 SiO2 박막을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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기판의 전면 상에 멤브레인(membrane)을 형성하는 단계;상기 기판의 후면의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 멤브레인을 외부로 노출시키는 단계; 및상기 멤브레인의 노출된 면 상에 탄소박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 멤브레인을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막 상에 전극 박막을 형성하는 단계;포토리소그라피(photolithography) 방법을 이용하여 상기 전극 박막의 적어도 일부를 제거하여 상기 제 1 절연막 상에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴 및 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 절연막의 적어도 일부를 식각하여 제거함으로써 컨택 홀(contact hole)을 형성하고, 상기 컨택 홀을 이용하여 상기 전극 패턴과 연결되도록 금속 배선을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 금속 배선을 형성하는 단계는,리프트-오프(lift-off) 방법을 이용하여 상기 컨택 홀을 형성하고, Ti 금속 또는 Al 금속을 증착시켜 상기 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 후면의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 멤브레인을 외부로 노출시키는 단계는,마스크(mask)를 이용하여 상기 기판의 산화막 또는 금속막을 식각하여 제거한 후 ICP-RIE(Inductive coupled plasma-reactive ion etching) 방법을 이용하여 상기 기판의 적어도 일부를 제거하여 상기 멤브레인을 외부로 노출시키는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소박막을 형성하는 단계 이후에 다이싱(dicing) 공정 및 패키징(packaging) 공정을 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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기판의 전면 상에 멤브레인(membrane)을 형성하는 단계;상기 기판의 후면의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 멤브레인을 외부로 노출시키는 단계; 및상기 멤브레인의 노출된 면 상에 탄소박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 멤브레인을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막 상에 전극 박막을 형성하는 단계;포토리소그라피(photolithography) 방법을 이용하여 상기 전극 박막의 적어도 일부를 제거하여 상기 제 1 절연막 상에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴 및 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 절연막의 적어도 일부를 식각하여 제거함으로써 컨택 홀(contact hole)을 형성하고, 상기 컨택 홀을 이용하여 상기 전극 패턴과 연결되도록 금속 배선을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 탄소박막을 형성하는 단계는,상기 탄소박막을 상기 제 1 절연막의 후면에 매립되도록 형성하는 단계를 포함하는,고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법
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