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Ag-In-Ga-S 코어 양자점 및 ZnS 다중쉘을 가지는 양자점으로서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점에서 Ag : (In + Ga)은 1 : 20 ~ 1 : 2이고, In/Ga 몰비가 0 보다 크고 0
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 550-650 meV 범위의 스토크 쉬프트(Stoke's shift)를 가지는 것을 특징으로 하는 양자점
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Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계; 및상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점 상에 ZnS 다중쉘을 형성하는 단계를 포함하고,상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점에서 Ag : (In + Ga)은 1 : 20 ~ 1 : 2이고, In/Ga 몰비가 0 보다 크고 0
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제4항에 있어서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는, Ag, Ga 및 S의 전구체, 황 및 용매를 혼합한 혼합 용액을 가열하여 Ag-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계; 및상기 Ag-Ga-S 코어 양자점이 형성되어 있는 상기 혼합 용액 안에 In 전구체를 첨가함으로써 상기 Ag-Ga-S 코어 양자점에 In을 합금화하여 Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는, In, Ag, Ga 및 S의 전구체, 황 및 용매를 혼합한 혼합 용액을 가열하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 ZnS 다중쉘을 형성하는 단계는 ZnS 스톡 용액을 적용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 ZnS 다중쉘을 형성하는 단계는 두 번 이상 연속하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 두 번 이상 연속하여 수행할 때에 각 ZnS 스톡 용액의 종류, 농도 및 반응 온도 중 적어도 어느 하나를 달리하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 Ag-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 요오드화 은(AgI), 질산 은(Ag nitrate), 아세트산 은(Ag acetate), 브롬화 은(AgBr) 및 염화 은(AgCl) 중 어느 하나, 갈륨 아세틸아세토네이트(Ga(acac)3), 요오드화 갈륨(GaI3), 아세트산 갈륨(Ga acetate), 염화 갈륨(GaCl3) 및 브롬화 갈륨(GaBr3) 중 어느 하나, 1-도데칸티올(dodecanethiol), 1-옥탄티올(octanethiol), 헥사데칸티올(hexadecanethiol) 및 데칸티올(decanethiol) 중 어느 하나, 황(sulfur), 및 올레일아민(oleylamine)을 혼합한 혼합 용액을 가열하여 수행하고,상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는상기 Ag-Ga-S 코어 양자점이 형성되어 있는 상기 혼합 용액 안에 인듐 아세테이트(In(Ac)3)를 첨가하여 수행하며,상기 ZnS 다중쉘을 형성하는 단계는 아세트산 아연, 옥타데센과 올레산을 포함하는 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계와, 스테아르산 아연, 옥타데센과 올레산을 포함하는 다른 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 AgI, 질산 은(Ag nitrate), 아세트산 은(Ag acetate), 브롬화 은(AgBr) 및 염화 은(AgCl) 중 어느 하나, 갈륨 아세틸아세토네이트(Ga(acac)3), 요오드화 갈륨(GaI3), 아세트산 갈륨(Ga acetate), 염화 갈륨(GaCl3) 및 브롬화 갈륨(GaBr3) 중 어느 하나, 1-도데칸티올(dodecanethiol), 1-옥탄티올(octanethiol), 헥사데칸티올(hexadecanethiol) 및 데칸티올(decanethiol) 중 어느 하나, 인듐 아세테이트(In(Ac)3), 황(sulfur), 및 올레일아민(oleylamine)을 혼합한 혼합 용액을 가열하여 수행하고,상기 ZnS 다중쉘을 형성하는 단계는 아세트산 아연, 옥타데센과 올레산을 포함하는 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계와, 스테아르산 아연, 옥타데센과 올레산을 포함하는 다른 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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I-Ⅲ-VI계 사성분계 Ag-In-Ga-S 코어 양자점 및 ZnS 다중쉘을 가지는 양자점으로서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점에서 Ag : (In + Ga)은 1 : 20 ~ 1 : 2이고, In/Ga 몰비가 0 보다 크고 0
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I-Ⅲ-VI계 사성분계 Ag-In-Ga-S 코어 양자점 및 ZnS 다중쉘을 가지는 양자점으로서, 상기 Ag-In-Ga-S 코어 양자점에서 Ag : (In + Ga)은 1 : 20 ~ 1 : 2이고, In/Ga 몰비가 0 보다 크고 0
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