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순수한 반도체형 단일벽 탄소나노튜브(Semiconducting single-walled carbon nanotube; s-SWCNT); 및 큐빅형 인듐 산화물(In2O3)이 상호 접합된 헤테로구조를 지닌 이종접합 재료를 포함하고,상기 단일벽 탄소나노튜브는 상기 큐빅형 인듐 산화물의 내부 및 표면에 존재하고,상기 인듐 산화물(In2O3)은 상기 탄소나노튜브에 의하여 격자 변형이 생겨, 순수 인듐 산화물 격자 파라미터보다 작은 격자 파라미터를 나타내는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극용 조성물
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제1항에 있어서,상기 순수한 반도체형 단일벽 탄소나노튜브는 반도체형 단일벽 탄소나노튜브(s-SWCNT) 및 금속형 단일벽 탄소나노튜브(m-SWCNT) 중 반도체형 단일벽 탄소나노튜브(s-SWCNT)를 99% 넘게 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극용 조성물
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a) InCl3 용액에 NaOH를 혼합하는 단계; b) 상기 혼합 용액에 순수한 반도체형 단일벽 탄소나노튜브(Semiconducting single-walled carbon nanotube; s-SWCNT) 용액을 첨가하는 단계;및c) 계면활성제로서 헥사메틸디실라잔(HMDS)를 첨가하는 단계를 포함하는 이종접합 재료의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 c) 단계 이후,d) 자기 교반한 후, 얻어진 용액을 오토클레이브에 옮기고 밀봉한 다음 가열하는 단계;e) 실온까지 냉각시킨 후, 얻어진 결과물을 탈이온수 및 에탄올로 린스하는 단계; 및f) 린스한 결과물을 건조 및 어닐링하는 단계;를 더 포함하는,이종접합 재료의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 b) 단계에서 첨가되는 s-SWCNT 용액의 부피는 1 mL 내지 5 mL인 것을 특징으로 하는,이종접합 재료의 제조방법
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제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되어,반도체형 단일벽 탄소나노튜브(s-SWCNT); 및 인듐 산화물(In2O3);이 상호 접합된 헤테로구조를 지니는 것을 특징으로 하는,s-SWCNT/In2O3 이종접합 재료
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제8항에 따른 s-SWCNT/In2O3 이종접합 재료를 포함하는,슈퍼커패시터용 전극 재료
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제9항에 따른 전극 재료를 활물질로 포함하는,슈퍼커패시터 전극
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제10항에 있어서,상기 활물질 외에 도전제 및 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,슈퍼커패시터 전극
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제11항에 따른 전극을 포함하는,슈퍼커패시터
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제12항에 있어서,상기 슈퍼커패시터는 고체-상태 대칭형 슈퍼커패시터(Solid-state symmetric supercapacitor; SSC)인 것을 특징으로 하는,슈퍼커패시터
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