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금속산화물 나노입자 잉크 조성물, 금속산화물 나노입자 잉크 조성물의 제조방법 및 금속산화물 나노입자 잉크 조성물을 이용한 도전층 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019020734
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속산화물 나노입자 잉크 조성물, 금속산화물 나노입자 잉크 조성물의 제조방법 및 금속산화물 나노입자 잉크 조성물을 이용한 도전층 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화니켈 나노입자를 포함하는 잉크 조성물 박막에 소결성 레이저를 조사하여 도전층을 형성할 수 있는 금속산화물 나노입자 잉크 조성물, 금속산화물 나노입자 잉크 조성물의 제조방법 및 금속산화물 나노입자 잉크 조성물을 이용한 도전층 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C09D 11/52 (2014.01.01) C09D 11/03 (2014.01.01) C09D 11/106 (2014.01.01) B01J 19/10 (2018.01.01) B01J 19/12 (2006.01.01)
CPC C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01)
출원번호/일자 1020180044865 (2018.04.18)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2092163-0000 (2020.03.17)
공개번호/일자 10-2019-0121492 (2019.10.28) 문서열기
공고번호/일자 (20200323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대호 서울특별시 송파구
2 부빈남 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강정빈 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로 **길 *, *층 (양재동, 화암빌딩)(아이픽스특허법률사무소)
2 심찬 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 *(양재동) *층(아이픽스특허법률사무소)
3 송두현 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 *, *층(양재동, 화암빌딩)(아이픽스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0383683-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.10.22 수리 (Accepted) 9-1-2018-0056117-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0428219-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0844736-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0844749-00
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0931845-40
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1347021-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-1347033-83
10 등록결정서
Decision to grant
2020.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0189842-77
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번호 청구항
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도전층 패턴 형성 방법으로서,기판층 상에 금속산화물 나노입자 잉크 조성물을 코팅하여 금속산화물박막을 형성하는 금속산화물박막형성단계;형성된 상기 금속산화물박막에 소결성 레이저를 조사하여 환원성 소결을 수행하여 도전층을 형성하는 환원성소결단계; 및소결되지 않은 금속산화물박막을 세척하는 세척단계; 를 포함하고,상기 금속산화물 나노입자 잉크 조성물은,제1용매; 및상기 제1용매에 분산된 산화니켈 나노입자;폴리비닐피롤리돈(PVP); 및상기 제1용매에 분산된 헥사데실트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB); 를 포함하고,상기 제1용매는 1-펜탄올이고,상기 금속산화물 나노입자 잉크 조성물은,1-펜탄올 100ml 당 산화니켈 나노입자 25 내지 30g, 폴리비닐피롤리돈(PVP) 2 내지 4g 및 헥사데실트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB) 0
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1 US20190327836 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019327836 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 가천대학교 산학협력단 신진연구자 지원사업 선택적 레이저 환원소결 공정을 이용한 니켈 전극 기반 유연/투명 히터 개발
2 과학기술정보통신부 (사)국가나노인프라협의체 나노·소재기술개발사업 나노팹시설활용지원사업