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BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0
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제 1 항에 있어서,상기 M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유전막
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제 1 항에 있어서,상기 M은 산화물이 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가질 수 있는 알칼리토금속인 것을 특징으로 하는, 유전막
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 x는 0 보다 크고 0
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제 5 항에 있어서,상기 x는 0
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제 1 항에 있어서,상기 유전막은 반도체 메모리 소자의 커패시터 유전막인 것을 특징으로 하는, 유전막
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8
베릴륨 산화물 및 알칼리토금속 산화물의 적층 구조체를 원자층 증착 공정으로 증착하는 단계; 및상기 적층 구조체를 열처리하여 유전막을 구현하는 단계;를 포함하되, 상기 유전막은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0
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제 8 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정은 상온에서 350℃ 이내의 온도 범위에서 수행되며, 상기 열처리는 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 유전막의 형성 방법
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10
제 8 항에 있어서,상기 M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유전막의 형성 방법
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하부 전극; 상기 하부 전극 상의 유전막; 및 상기 유전막 상의 상부 전극;을 포함하는 커패시터를 구비하되, 상기 유전막은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0
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12
제 11 항에 있어서,상기 M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 메모리 소자
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13
삭제
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14
삭제
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제 11 항에 있어서,상기 x는 0 보다 크고 0
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제 15 항에 있어서,상기 x는 0
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17
제 11 항에 있어서,상기 하부 전극은 TiN, TaN, Ru, Pt, Au, Ag, Al, Rh, Mo, Pd, Co, Cu, Ir, SnO2,RuO2,IrO2,MoO2 및 SrRuO3 중 어느 하나로 이루어진 전극을 포함하는, 반도체 메모리 소자
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하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 베릴륨 산화물 및 알칼리토금속 산화물의 적층 구조체를 원자층 증착 공정으로 증착하는 단계; 상기 적층 구조체 상에 상부 전극을 형성하는 단계; 및상기 적층 구조체를 열처리하여 유전막을 구현하는 단계;를 포함하되, 상기 유전막은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0
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19
제 18 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정은 상온에서 350℃ 이내의 온도 범위에서 수행되며, 상기 열처리는 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 반도체 메모리 소자의 형성 방법
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20
제 18 항에 있어서,상기 M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 메모리 소자의 형성 방법
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