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특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법으로서,메인 챔버 내부에 평탄화하고자 하는 대상물을 제공하는 단계;상기 메인 챔버 내부에 식각용 가스를 주입하는 단계;상기 특정 파장의 광원을 상기 대상물의 표면에 입사하는 단계; 및상기 대상물의 온도를 제어하는 단계를 포함하되,상기 대상물의 온도를 제어하는 단계는, 상기 대상물의 표면의 거칠기를 모니터링 하는 단계; 및상기 모니터링 결과에 기초하여, 상기 대상물의 온도를 다시 제어하는 단계를 포함하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 식각용 가스는, Cl2, Br2, CF4, SF6, HBr 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제2항에 있어서,상기 광원의 파장은, 적어도 상기 식각용 가스의 종류에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 대상물의 온도를 제어하는 단계는, 상기 광원이 입사되는 대상물의 표면 전체의 온도가 균일하도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 대상물의 온도를 제어하는 단계는, 상기 대상물이 부착된 가열판에 연결된 전극을 통해 가열함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 광원은 빔 정형 렌즈(beam shaping lens)를 이용하여 균일한 분포를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 광원은 가시광선 파장대역을 갖는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 대상물은 ITO, FTO, ZnO, TiO2, SnO2, AZO(Aluminium doped ZnO) 및 GZO(Gallium doped ZnO) 중 적어도 하나의 물질로 구성되는 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제9항에 있어서,상기 특정 파장의 광원을 상기 대상물의 표면에 입사하는 단계는, 상기 박막을 구성하는 물질의 그레인 크기의 감소로 인하여 박막 표면의 거칠기가 다시 증가하기 직전까지 지속되는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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제1항에 있어서,상기 대상물은 실리콘(Si), Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체, 옥사이드(oxide) 물질 또는 유기물 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법
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특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하기 위한 장치로서,상기 대상물이 제공되는 메인 챔버;상기 메인 챔버 내부에 식각용 가스를 주입하기 위한 가스 주입부;상기 특정 파장의 광원을 입사하기 위한 광원 출력부; 및상기 대상물의 온도를 제어하기 위한 온도 제어부를 포함하되,상기 온도 제어부는 상기 대상물의 표면이 평탄화되는 동안 상기 대상물의 표면의 거칠기를 모니터링하기 위한 모니터부를 구비하고, 상기 광원이 입사되는 대상물의 표면 전체의 온도가 균일하도록 제어하되, 모니터링 결과에 기초하여 상기 대상물의 온도를 다시 제어하는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하기 위한 장치
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제12항에 있어서,상기 광원이 균일한 분포를 갖도록 형성하기 위한 빔 정형 렌즈(beam shaping lens)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하기 위한 장치
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