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a) 기재의 비증착 지역에 표면 억제 분자가 도포되는 표면 비활성화 단계 b) 기재의 증착 지역에 전구체가 공급되어 증착물이 증착되는 원자층증착 단계 및 c) 상기 비증착 지역에 잔류하는 증착물이 제거되는 식각 단계 를 포함하며, 상기 a) 단계 내지 상기 c) 단계가 순차적으로 반복 수행되어 무한 선택비를 갖는 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계 내지 상기 c) 단계가 순차적으로 반복 수행될 시, 상기 a) 단계는, 식각에 의해 표면 억제 분자가 제거되어 표면 활성화된 비증착 지역에 표면 억제 분자가 재도포되는 표면 비활성화 재생 단계 를 포함하는 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 식각은 비증착 지역의 전체 표면상에 존재하는 증착물이 모두 제거될 때까지 수행되는 패턴의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 b) 단계에서, 증착은 상기 c) 단계에서 비증착 지역의 전체 표면상에 존재하는 증착물이 식각되어 모두 제거될 수 있을 정도의 증착량 이하까지 수행되는 패턴의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 제조된 패턴에서, 패턴의 비증착 지역은 증착물을 포함하지 않는 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계 내지 상기 c) 단계는 동일한 반응 공간에서 수행되는 패턴의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 반응 공간은 진공 상태인 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 식각은 원자층에칭으로 수행되는 패턴의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 식각은 유기산을 포함하는 식각 용액이 비증착 지역에 접촉되어 수행되는 습식 식각인 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 증착 지역의 표면은 실리콘 산화물이며, 상기 비증착 지역의 표면은 구리, 티타늄 및 백금 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 전이금속인 패턴의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 표면 억제 분자는 알칸(C6~C18)티올을 포함하고, 상기 전구체는 디알킬(C1~C5)아연, 트리알킬(C1~C3)알루미늄 및 비스(알킬(C1~C5)시클로펜타디에닐)망간 중에서 선택되는 패턴의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 표면 억제 분자는 알킬(C12~C24)포스폰산 및 알킬(C12~C24)트리클로로실란 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하고, 상기 전구체는 트리알킬(C1~C3)알루미늄을 포함하는 패턴의 제조 방법
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