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베이스에 소수성 물질을 증착하는 단계;마스크를 이용하여 상기 소수성 물질을 선택적으로 패터닝하여 상기 소수성 물질이 증착된 영역을 광을 차단하지 않은 제1 영역과 상기 광을 차단하는 제2 영역으로 구분하는 단계;상기 베이스 및 상기 소수성 물질을 자외선 처리하여 상기 제1 영역에 위치하는 소수성 물질을 제거하고 상기 제1 영역에서 상기 베이스를 노출시키며, 상기 제1 영역에서 노출된 베이스의 표면 에너지를 변화시키고, 상기 제2 영역에 증착된 소수성 물질의 표면 에너지를 변화시키는 단계; 및상기 제1 영역에 용액으로 된 친수성 물질을 증착하는 단계;를 포함하며,상기 제1 영역에서 노출된 베이스는 친수성이 강화되고, 상기 제2 영역에 증착된 소수성 물질은 소수성이 유지되는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 영역에 친수성 물질을 증착하는 단계에서,상기 친수성 물질은 액적을 형성하고, 상기 액적과 상기 제1 영역에서 노출된 베이스 간의 접촉각을 감소시키며, 상기 제2 영역에 친수성 물질을 위치시키지 않고 상기 제1 영역에만 상기 친수성 물질을 위치시켜, 상기 친수성 물질을 밀집시키는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스는 절연층이고, 기판 또는 상기 기판에 증착된 유연층에 게이트 전극을 형성하고, 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층에 상기 친수성 물질을 도포하여 전도층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 및 상기 전도층 중에서 적어도 하나에 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계를 추가로 포함하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제5항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 전도층을 부착하기 위한 절연 용액을 상기 유연층에 코팅하고 100℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제5항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,작용기를 갖는 물질을 이용하여 상기 절연층을 표면 처리하여 상기 절연층을 기능화하는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제7항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 작용기를 갖는 물질을 포함하는 용액에 상기 절연층을 침지하여 연결층을 형성하고, 상기 연결층은 아민기를 갖는 폴리라이신(Poly-L-Lysine), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제5항에 있어서,상기 전도층은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 그래핀(Graphene), 산화 환원 그래핀(Reduced Graphene Oxide, RGO), 또는 이들의 조합으로 된 탄소 동소체 물질인 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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제5항에 있어서,상기 전도층을 형성하는 단계는,정제된 여과수를 이용하여 린싱(Rinsing)하거나 건조공기를 이용하여 블로잉(Blowing)하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정에 기반한 패터닝 방법
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박막 패턴에 있어서,베이스;상기 베이스에 증착되며 상기 베이스를 은닉하는 영역을 형성하는 소수성 물질; 및상기 소수성 물질과 작용하여 상기 베이스가 노출된 영역에 증착된 친수성 물질을 포함하며,마스크를 이용하여 상기 소수성 물질을 선택적으로 패터닝하여 상기 소수성 물질이 증착된 영역을 광을 차단하지 않은 제1 영역과 상기 광을 차단하는 제2 영역으로 구분하는 공정과 상기 베이스 및 상기 소수성 물질을 자외선 처리하여 상기 제1 영역에 위치하는 소수성 물질을 제거하고 상기 제1 영역에서 상기 베이스를 노출시키며, 상기 제1 영역에서 노출된 베이스의 표면 에너지를 변화시키고, 상기 제2 영역에 증착된 소수성 물질의 표면 에너지를 변화시키는 공정을 통해 상기 박막 패턴이 형성되며,상기 제1 영역에서 노출된 베이스는 친수성이 강화되고, 상기 제2 영역에 증착된 소수성 물질은 소수성이 유지되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제11항에 있어서,상기 소수성 물질은 플루오르 계열의 물질인 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제12항에 있어서,상기 소수성 물질은 플루오르 탄소 중합체인 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제11항에 있어서,상기 베이스 및 상기 소수성 물질은 자외선 처리하여 표면 에너지가 변화되어 상기 베이스가 노출된 영역의 접촉각이 감소되고, 상기 베이스를 은닉하는 영역의 소수성 물질 위에 상기 친수성 물질이 위치하지 않고, 상기 베이스가 노출된 영역에 상기 친수성 물질을 위치시켜, 상기 친수성 물질이 밀집된 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제11항에 있어서,상기 친수성 물질은 전자 이동 통로를 형성하는 전도층이며, 상기 박막 패턴은, 상기 전도층에 연결되어 전자를 공급하는 소스(Source) 전극과 상기 전도층에 연결되어 상기 전자를 받는 드레인(Drain) 전극, 상기 전도층에 상기 전자가 흐르거나 흐르지 않게 조절하는 게이트(Gate) 전극를 추가로 포함하며,상기 베이스는 절연층이고, 상기 절연층은 상기 전도층과 상기 게이트 전극을 분리하며 상기 전도층이 결합되도록 기능화되며,상기 박막 패턴은 트랜지스터로 기능하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제15항에 있어서,상기 절연층 및 상기 전도층은 작용기를 갖는 물질을 포함하는 연결층에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제16항에 있어서,상기 연결층은 아민기를 갖는 폴리라이신(Poly-L-Lysine), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제15항에 있어서,상기 전도층은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 그래핀(Graphene), 산화 환원 그래핀(Reduced Graphene Oxide, RGO), 또는 이들의 조합으로 된 탄소 동소체 물질인 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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제15항에 있어서,상기 전도층은 정제된 여과수 또는 건조공기에 의해 세정된 것을 특징으로 하는 박막 패턴
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