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계면활성제를 이용한 열수화법(Hydrothermal method)을 통해,디스크 형상을 지닌 2차원 구조의 인듐 산화물(In2O3)을 합성하는 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 계면활성제는 헥사메틸디실라잔(HMDS)인 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제조방법은 하나의 공정(One-step)으로 진행되는 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 인듐 산화물을 합성하기 위한 반응물은 InCl3 및 NaOH인 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크의 제조방법
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a) 탈이온수에 InCl3를 첨가 및 교반하는 단계;b) a) 단계로부터 얻어진 용액에 NaOH 용액을 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계;c) 계면활성제로서 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 첨가하여 인듐 산화물(In2O3)의 크기 및 모양을 조절하는 단계;d) c) 단계로부터 얻어진 용액을 오토클레이브에 옮기고 밀봉한 다음 가열하는 단계;e) 실온까지 냉각시킨 후, 얻어진 결과물을 탈이온수 및 에탄올로 린스하는 단계; 및f) 린스한 결과물을 건조 및 어닐링하는 단계;를 포함하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크의 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되어,인듐 산화물(In2O3)이 디스크 형상의 얇은 2차원 구조를 지니게 되는 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크(2D In2O3 nanodisc)
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제6항에 있어서,상기 2차원 인듐 산화물 나노디스크의 두께는 1 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는,2차원 인듐 산화물 나노디스크
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제6항에 따른 2차원 인듐 산화물 나노디스크 활물질, 도전제 및 바인더를 포함하는,슈퍼커패시터 전극
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제8항에 따른 전극을 포함하는,슈퍼커패시터
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제9항에 있어서,상기 슈퍼커패시터는 고체-상태 대칭형 슈퍼커패시터(Solid-state symmetric supercapacitor; SSC)인 것을 특징으로 하는,슈퍼커패시터
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