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절연체-금속 전이 특성을 갖고, 펄스폭이 변화되더라도 일정한 임계전압을 갖는 선택소자; 및상기 선택소자와 연결되어 1S-1R 구조를 형성하고, 펄스폭이 감소함에 따라 셋(set) 전압이 증가하는 저항변화 메모리 소자를 포함하고,상기 선택소자는 상기 저항변화 메모리 소자보다 임계 전압에서 먼저 턴온되어 상기 저항변화 메모리 소자가 턴온 되기 전까지 전압 구간에서 리드 마진(read-margin)을 갖고, 상기 1S-1R 구조에서 펄스폭이 감소할수록 리드 마진이 증가하는 것이며,상기 리드 마진은 상기 선택소자의 턴온 전압과 상기 저항변화 메모리 소자의 셋(set) 전압과의 전압 차이인 것인 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 선택소자는,제1 하부 전극;상기 제1 하부 전극 상에 형성되고, 절연체-금속 전이(IMT) 특성을 갖는 절연체-금속 변화층; 및상기 절연체-금속 변화층 상에 형성된 제1 상부 전극을 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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제2항에 있어서,상기 절연체-금속 변화층은 NbOx(2≤x≤2
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제2항에 있어서, 상기 제1 상부 전극은 Pt, Ir, W, Ru, TaN 또는 TiN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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제2항에 있어서,상기 제1 하부 전극은 Pt, Ir, W, Ru, TaN 또는 TiN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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6
제1항에 있어서, 상기 저항변화 메모리 소자는,제2 하부 전극;상기 제2 하부 전극 상에 형성되고, 전도성 플리멘트의 생성과 소멸이 이루어지는 저항 변화층;상기 저항 변화층 상에 형성되고, 전압 방향에 따라 산소 공공 이온 공급 및 전압 분배 역할을 갖는 산소공공 이온 공급층; 및상기 산소공공 이온 공급층 상에 형성된 제2 상부 전극을 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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7
제6항에 있어서,상기 저항 변화층은 TiOx, ZrOx, AlOx, TaOx, HfOx 또는 NiOx 중 적어도 어느 하나를 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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8
제6항에 있어서,상기 산소공공 이온 공급층은 Ti, Hf, Ni 또는 Ta 중 적어도 어느 하나를 포함하는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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삭제
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삭제
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제2항에 있어서,상기 절연체-금속 변화층은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 공정을 이용하여 형성되는 것인 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 저항 변화층은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정을 이용하여 형성되는 것인 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리
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