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다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스

  • 기술번호 : KST2019020897
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법은 기판 상에 실리콘 파티클을 코팅하여 코팅층을 형성하는 파티클 코팅 단계; 상기 코팅층에 상기 실리콘 파티클의 산화를 방지할 수 있는 기체를 분사하여 기체 분위기를 형성하는 기체 분사 단계; 및 상기 기체 분위기하에서 상기 코팅층의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클이 소수성 액적 군집화 및 소결되어 다중 스케일 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020180047673 (2018.04.25)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0123855 (2019.11.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강봉철 대전광역시 유성구
2 백승현 경기도 안양시 만안구
3 권승갑 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0409384-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.10.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0113610-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0748310-98
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-1288213-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0041942-62
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0124588-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 실리콘 파티클을 코팅하여 코팅층을 형성하는 파티클 코팅 단계;상기 코팅층에 상기 실리콘 파티클의 산화를 방지할 수 있는 기체를 분사하여 기체 분위기를 형성하는 기체 분사 단계; 및상기 기체 분위기하에서 상기 코팅층의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클이 소수성 액적 군집화 및 소결되어 다중 스케일 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계;를 포함하는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기체는, 불활성 기체인, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기체는, 산소가 포함되지 않은 기체 또는 기체 화합물인, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 패턴 형성 단계에서는,상기 기체 화합물 중 질소 화합물 분위기하에 상기 코팅층의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하면, 상기 질소가 상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클의 소수성 액적 군집화 및 소결 과정 중 실리콘과 반응하여 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)가 생성되고,상기 생성된 실리콘 나이트라이드가 다중 스케일 실리콘 나이트라이드 패턴으로 형성되는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 파티클 코팅 단계에서는,상기 실리콘 파티클과 미리 정해진 도펀트 물질을 소정의 용매에 분산 또는 희석된 상태로 제조하고, 상기 제조된 용매를 상기 기판 상에 코팅하여 상기 코팅층을 형성하는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 패턴 형성 단계에서는,상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클이 소수성 액적 군집화 및 소결되어, 상기 도펀트 물질에 따른 n-type 또는 p-type의 다중 스케일 실리콘 패턴이 형성되는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법으로 제조된 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 금오공과대학교 기초연구지원사업(기본연구) 광전자 소자의 대량/유연 생산을 위한 레이저 응용 마이크로/나노 패터닝의 병렬/고속/디지털 공정 기술