1 |
1
기판 상에 실리콘 파티클을 코팅하여 코팅층을 형성하는 파티클 코팅 단계;상기 코팅층에 상기 실리콘 파티클의 산화를 방지할 수 있는 기체를 분사하여 기체 분위기를 형성하는 기체 분사 단계; 및상기 기체 분위기하에서 상기 코팅층의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클이 소수성 액적 군집화 및 소결되어 다중 스케일 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계;를 포함하는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 기체는, 불활성 기체인, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 기체는, 산소가 포함되지 않은 기체 또는 기체 화합물인, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 패턴 형성 단계에서는,상기 기체 화합물 중 질소 화합물 분위기하에 상기 코팅층의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하면, 상기 질소가 상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클의 소수성 액적 군집화 및 소결 과정 중 실리콘과 반응하여 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)가 생성되고,상기 생성된 실리콘 나이트라이드가 다중 스케일 실리콘 나이트라이드 패턴으로 형성되는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 파티클 코팅 단계에서는,상기 실리콘 파티클과 미리 정해진 도펀트 물질을 소정의 용매에 분산 또는 희석된 상태로 제조하고, 상기 제조된 용매를 상기 기판 상에 코팅하여 상기 코팅층을 형성하는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
6 |
6
제5항에 있어서,상기 패턴 형성 단계에서는,상기 패터닝 영역에 있는 실리콘 파티클이 소수성 액적 군집화 및 소결되어, 상기 도펀트 물질에 따른 n-type 또는 p-type의 다중 스케일 실리콘 패턴이 형성되는, 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법
|
7 |
7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 다중 스케일 실리콘 패턴 제조 방법으로 제조된 디바이스
|