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기판;상기 기판 상에 제공되고, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 평면적으로 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 매몰층;상기 제1 영역 상의 활성층; 상기 제2 영역 상에 제공되고, 상기 활성층을 격리하는 트렌치 절연체; 및상기 활성층 상의 제1 부분 및 상기 트렌치 절연체 상의 제2 부분을 포함하는 소멸 저항을 포함하고,상기 제1 부분은 상기 활성층의 상면과 접촉하는 포토멀티플라이어
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제1 항에 있어서,상기 제1 부분의 상면 및 상기 제2 부분의 상면의 레벨 차이는 상기 제1 부분의 두께보다 작은 포토멀티플라이어
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제1 항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제1 부분 사이에 개재되는 제1 절연막 및 제2 절연막을 더 포함하는 포토멀티플라이어
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제 3 항에 있어서,상기 제1 부분은 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 관통하는 포토멀티플라이어
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제 3 항에 있어서,상기 제1 절연막은 실리콘 산화물을 포함하고,상기 제2 절연막은 실리콘 질화물을 포함하는 포토멀티플라이어
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제 3 항에 있어서,상기 제1 부분의 상면 및 상기 제2 부분의 상면의 레벨 차이는 상기 제2 절연막의 두께보다 작은 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치 절연체는 그의 상면의 가장자리에서 수직하게 돌출된 제1 돌출부를 포함하는 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 소멸 저항은 그의 상면에서 수직하게 돌출된 제2 돌출부를 더 포함하고,상기 제2 돌출부는 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 개재되는 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 소멸 저항을 덮는 제3 절연막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 소멸 저항의 상면과 접촉하는 금속 배선을 더 포함하는 포토멀티플라이어
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기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역을 평면적으로 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 매몰층을 형성하는 것;상기 제1 영역 상에 활성층을 형성하는 것;상기 제2 영역의 일부를 식각하여 상기 활성층을 격리하는 트렌치를 형성하는 것;상기 트렌치와 인접하는 상기 제2 영역을 산화시켜 상기 제2 영역 상에 트렌치 절연체를 형성하는 것; 및상기 활성층 상의 제1 부분 및 상기 트렌치 절연체 상의 제2 부분을 포함하는 소멸 저항을 형성하는 것을 포함하고,상기 제1 부분은 상기 활성층의 상면과 접촉하는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 부분의 상면 및 상기 제2 부분의 상면의 레벨 차이는 상기 제1 부분의 두께보다 작은 포토멀티플라이어 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 매몰층 상에 제1 절연막을 형성하는 것, 및 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 것을 더 포함하는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 부분의 상면 및 상기 제2 부분의 상면의 레벨 차이는 상기 제2 절연막의 두께보다 작은 포토멀티플라이어 제조방법
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14
제 12 항에 있어서,상기 활성층 상의 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 선택적으로 제거하여 제1 개구를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 소멸 저항은 상기 제1 개구를 채우는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 것은,상기 트렌치 상의 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 패터닝하는 것, 및 패터닝된 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 마스크로 상기 제2 영역의 일부를 식각하는 것을 포함하는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 소멸 저항을 덮는 제3 절연막을 형성하는 것, 및 상기 제3 절연막 상에 금속 배선을 형성하는 것을 더 포함하는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 소멸 저항 상의 상기 제3 절연막을 선택적으로 제거하여 제2 개구를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 금속 배선은 상기 제2 개구를 채우는 포토멀티플라이어 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 소멸 저항을 형성하는 것은,상기 소멸 저항의 상면에서 수직하게 돌출된 돌출부를 형성하는 것을 포함하는 포토멀티플라이어 제조방법
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