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양자점 띠내 전자전이 제어법

  • 기술번호 : KST2019020974
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점의 구성물질 고유의 흡발광 영역을 넘어 고유의 밴드갭보다 작은 영역에서의 전자 전이를 제어하고 나아가 국소 표면 플라즈몬 공명 영역으로의 전자 전이를 제어할 수 있는 양자점, 이를 포함하는 광 검출 소자, 양자점 제조방법, 양자점의 전자 전이 제어방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/88 (2006.01.01) H01L 31/0296 (2006.01.01)
CPC C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01)
출원번호/일자 1020180048857 (2018.04.27)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0124868 (2019.11.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정광섭 서울특별시 성동구
2 최동선 경기도 성남시 분당구
3 윤빛나 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0419231-70
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0477209-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2019-0011277-00
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0599893-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1070566-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1070565-31
9 등록결정서
Decision to grant
2019.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0864919-70
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 조성을 만족하며,Cd:Hg가 원자 비율 12:88 이하일 때 가시광선 영역에서 흡광과 발광을 하고, Cd:Hg가 원자 비율 12:88를 초과할 때 적외선 영역에서 흡광과 발광을 하면서 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 나타내며,Cd:Hg가 원자 비율 12:88 미만일 때 반도체 성질을 갖고 평균 입경이 4 nm 이하이며, Cd:Hg가 원자 비율 12:88 이상일 때 반-금속 내지 금속 성질을 갖고 평균 입경이 4 nm를 초과하는 양자점:[화학식 1]CdxHg1-xSe상기 화학식 1에서, x는 0 초과 1 미만이다
2 2
삭제
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삭제
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삭제
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제1항에 따른 양자점을 포함하는 광 검출 소자
6 6
제1항에 따른 양자점의 제조방법으로서,CdSe 중 Cd와 Hg의 양이온 교환을 통해 합금 나노결정을 제조하는 양자점 제조방법
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제1항에 따른 양자점의 조성을 조절함으로써, 밴드갭 전이로부터 대역간 전이를 포함하여 국소 표면 플라즈몬 공명까지 양자점의 전자 전이를 제어하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 신진연구자지원-신진연구 콜로이드 양자점의 전도띠 내 및 원자가띠 내의 띠내전이를 통한 중/장파장 적외선 광원 생산 및 광전자적 응용