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복수의 레이어가 적층된 기판;상기 기판상에 형성되어 원형편파를 형성하기 위한 육각형 유전체 공진기; 상기 기판상에 형성되어 추가적인 공진을 생성시키는 비대칭형 C 형상 금속 선로; 및동축 커넥터에서 입력되는 신호를 상기 유전체 공진기로 급전하는 3-D meandered 프로부;를 포함하는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 제1 레이어, 제2 레이어, 제3 레이어, 및 제 4레이어가 적층된 4층 구조로 비유전율 ε=3
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제 2항에 있어서, 상기 육각형 유전체 공진기는 a×b×d의 크기를 갖는 비유전율 ε=10, 손실 탄젠트 tanδ= 0
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제 3항에 있어서, 상기 비대칭형 C 형상 금속 선로는 상기 육각형 유전체 공진기의 모서리 부분에서 -x방향으로 dx, y방향으로 dy만큼 떨어진 곳에 위치하고, w5의 두께와, L5만큼의 길이차로 인한 비대칭 형상을 갖는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 4항에 있어서, 상기 3-D meandered 프로부는 가로방향으로 형성된 3개의 상부, 중앙부, 하부 마이크로스트립 급전선로, 세로방향으로 형성된 3개의 제1, 제2, 제3 금속 비아와 금속 슬래브를 포함하는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 5항에 있어서, 상기 제2 레이어 저부에 형성된 상기 하부 마이크로스트립 급속선로의 두께와 길이는 각각 w1, L1이며 임피던스 정합을 위해 L2의 길이와 w2의 두께를 갖는 튜닝 스터브를 포함하는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 6항에 있어서,상기 하부 마이크로스트립 급전선로는 상기 제1 금속 비아를 통해 상기 제4 레이어의 저부에 위치한 w4 두께와 L4길이의 상부 마이크로스트립 급전선로와 연결되는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 7항에 있어서, 상기 상부 마이크로스트립 급전선로는 상기 제2 금속 비아를 통해 제3 레이어에 위치한 w3 두께와 L3길이의 중앙부 마이크로스트립 급전선로와 연결되는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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제 8항에 있어서, 상기 중앙부 마이크로스트립 급전선로는 상기 제3 금속 비아를 통해 상기 금속 슬래브와 연결되어 육각형 유전체 공진기의 급전부를 형성하는 3-D meandered 프로부가 구비된 이중대역 유전체 공진기 원형편파 안테나
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