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기판;상기 기판 상에 형성된, 저(低)표면에너지를 갖는 미끄럼 절연막; 및상기 미끄럼 절연막 상에 형성된 나노입자;를 포함하되,상기 미끄럼 절연막의 표면에너지에 비해 상기 나노입자의 표면에너지가 1000 mJ/m2 이상 높은, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 미끄럼 절연막의 표면에너지는 100 mJ/m2 이하인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 미끄럼 절연막은 탄화수소 티올(alkanethiol), 이황화 탄화수소(alkyldisulfide), 탄화불소 티올(fluorocarbon thiol), 탄화불소 실란(fluorocarbon silane), 탄화염소 실란(chlorocarbon silane), 탄화불소 카복실 산(fluorocarbon carboxylic acid), 탄화불소 아민(fluorocarbon amine), 탄화불소계 고분자(fluorocarbon polymer) 및 이들의 유도체 중 1종 이상으로 형성된, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 미끄럼 절연막이 형성된 기판의 수접촉각이 90° 이상인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 미끄럼 절연막의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 미끄럼 절연막은 기상증착 또는 용액공정으로 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자, 유리, 세라믹, 금속, 종이, 수지, 실리콘, 또는 금속 산화물로 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 표면에 서로 이격되어 형성된 나노구조체를 더 포함하는, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제8항에 있어서,상기 나노구조체는 플라즈마 식각(plasma etching), 소프트 리소그라피(soft lithography), 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography), 포토 리소그라피(photo lithography), 또는 홀로그래픽 리소그라피(holographic lithography)로 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 기판 및 상기 나노구조체 중 1 이상의 표면 상에 형성되는 제1금속 함유 박막을 더 포함하는, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제10항에 있어서,상기 제1금속 함유 박막은 라만활성물질을 진공증착시켜 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제11항에 있어서, 상기 라만활성물질은 Au, Ag, 또는 이의 합금인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제11항에 있어서, 상기 제1금속 함유 박막은 라만활성물질을 10 nm 이상으로 진공증착시켜 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제10항에 있어서,상기 기판과 상기 제1금속 함유 박막 사이에 제2금속 함유 박막을 더 포함하고, 상기 제2금속 함유 박막은 제1금속 함유 박막보다 낮은 표면에너지를 갖는, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제14항에 있어서,상기 제2금속 함유 박막은 Ag, Cu, Pt, Pd, Ti, 및 이의 합금 중 1종으로 형성된 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 금속 함유 나노입자인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제17항에 있어서,상기 라만활성물질은 Au, Ag 또는 이의 합금인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 평균입도가 40 nm 이상인, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판
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제1항 기재의 미끄럼 절연막을 포함하는 기판을 제조하는 방법에 있어서,기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 저(低)표면에너지를 갖는 미끄럼 절연막을 형성하는 단계; 및상기 미끄럼 절연막 상에 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 미끄럼 절연막의 표면에너지에 비해 상기 나노입자의 표면에너지가 1000 mJ/m2 이상 높게 형성되는, 미끄럼 절연막을 포함하는 기판의 제조방법
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