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복수의 홀이 형성된 그라파이트 기판을 준비하는 단계;상기 그라파이트 기판 상에 제1 도전성 타입의 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제2 도전성 타입의 불순물을 포함하는 실리콘층을 형성하고, 상기 실리콘층을 결정화시켜 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 전면에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계;상기 반사 방지막 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 그라파이트 기판 하부에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 복수의 홀은 상기 그라파이트 기판을 관통하여 형성되며,상기 그래핀층을 형성하는 단계에서,상기 그라파이트 기판 상에 그래핀 페이스트를 1~100nm의 두께로 도포한 후, 소성시키는 공정을 반복적으로 수행하여 복수의 층으로 구성된 상기 그래핀층을 형성하며,상기 그래핀층은 상기 그라파이트 기판의 상부 및 상기 복수의 홀 내에 배치되는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 단계에서,상기 제1 도전성 타입은 N형 도전성 타입이며,상기 그래핀층은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계에서,상기 제2 도전성 타입은 P형 도전성 타입이며,상기 반도체층은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계에서,상기 반도체층에 습식 에칭을 수행하여, 상기 반도체층에 텍스쳐링 구조 또는 요철 구조를 형성하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하는 단계에서,상기 반도체층의 전면에 산화 알루미늄(Al2O3)을 5~50nm의 두께로 증착시켜 상기 패시베이션층을 형성하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하는 단계에서,상기 반도체층의 전면에 비정질 실리콘을 1~10nm의 두께로 증착시켜 상기 패시베이션층을 형성하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,제1 전극을 형성하는 단계에서,투명한 전도성 물질로 상기 제1 전극을 형성하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,제2 전극을 형성하는 단계에서,알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 중 하나의 물질 또는 적어도 2개의 물질의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 도전성 물질로 상기 제2 전극을 형성하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지의 제조 방법
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복수의 홀이 형성된 그라파이트 기판;상기 그라파이트 기판 상에 배치된 제1 도전성 타입의 그래핀층;상기 그래핀층 상에 배치된 제2 도전성 타입의 반도체층;상기 반도체층 상에 배치된 패시베이션층;상기 패시베이션층 상에 배치된 반사 방지막;상기 반사 방지막의 상부에 배치된 제1 전극; 및상기 그라파이트 기판의 하부에 배치된 제2 전극;을 포함하며,상기 복수의 홀은 상기 그라파이트 기판을 관통하여 형성되며,상기 그래핀층은 1~100nm의 두께를 가지는 복수의 서브 그래핀층이 적층되어 형성되며,상기 그래핀층은 상기 그라파이트 기판의 상부 및 상기 복수의 홀 내에 배치되는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 제1 도전성 타입은 N형 도전성 타입이며,상기 그래핀층은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 제2 도전성 타입은 P형 도전성 타입이며,상기 반도체층은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 반도체층의 전면에 산화 알루미늄(Al2O3)이 5~50nm의 두께로 증착되어 형성된,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 반도체층의 전면에 비정질 실리콘을 1~10nm의 두께로 증착되어 형성된,그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지
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