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쿼드러쳐 신호 발생기;상기 쿼드러쳐 신호 발생기의 출력단과 일단이 접속되어 상기 쿼드러쳐 신호 발생기와 전류가 분배되는 스위치;를 포함하고,상기 쿼드러쳐 신호 발생기는 전압-전류 변환(conversion)을 수행하고,상기 스위치의 입력은 LO(Local Oscillator) 신호이고, 상기 쿼드러쳐 신호 발생기의 입력은 RF(Radio Frequency)인능동 주파수 혼합 회로
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제1항에 있어서,상기 쿼드러쳐 신호 발생기는,인 페이즈(in phase) 신호 발생기 및 쿼드러쳐 페이즈(quadrature phase) 신호 발생기를 포함하는능동 주파수 혼합 회로
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제2항에 있어서,상기 인 페이즈 신호 발생기 및 상기 쿼드러쳐 페이즈 신호 발생기는,DC 전원에 일단이 접속된 제1 전류원;상기 제1 전류원과 병렬로 연결되고, 상기 DC 전원에 일단이 접속된 제1 캐패시터;상기 제1 전류원의 타단 및 상기 캐패시터의 타단과 소스가 접속된 PMOS FET(P type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor);상기 PMOS FET의 드레인에 드레인이 접속된 NMOS(N type Metal Oxide Semiconductor) FET; 및상기 NMOS FET의 소스에 일단이 접속되고, 타단이 접지에 접속되는 제2 전류원; 및상기 제2 전류원과 병렬로 연결되고, 상기 NMOS FET의 소스에 일단이 접속되고, 타단이 접지에 접속되는 제2 캐패시터를 포함하는 능동 주파수 혼합 회로
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제3항에 있어서,상기 인 페이즈 신호 발생기의 PMOS FET의 소스와 상기 쿼드러쳐 페이즈 신호 발생기의 PMOS FET의 게이트가 접속되고,상기 인 페이즈 신호 발생기의 NMOS FET의 소스와 상기 쿼드러쳐 페이즈 신호 발생기의 NMOS FET의 게이트가 접속되는능동 주파수 혼합 회로
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제4항에 있어서,상기 인 페이즈 신호 발생기의 PMOS FET의 소스와 상기 쿼드러쳐 페이즈 신호 발생기의 PMOS FET의 게이트 사이에 연결되는 제1 DC 차단 캐패시터; 및상기 인 페이즈 신호 발생기의 NMOS FET의 소스와 상기 쿼드러쳐 페이즈 신호 발생기의 NMOS FET의 게이트 사이에 연결되는 제2 DC 차단 캐패시터를 더 포함하는 능동 주파수 혼합 회로
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제3항에 있어서,상기 스위치는,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 BJT(Bipolar Junction Transistor)로 구현되는,능동 주파수 혼합 회로
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제6항에 있어서,상기 스위치의 소스는 상기 NMOS FET의 드레인 및 상기 PMOS FET의 드레인에 함께 접속되는능동 주파수 혼합 회로
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제6항에 있어서,상기 스위치는,게이트에 국부 발진기(Local Oscillator) 신호가 인가되는능동 주파수 혼합 회로
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제1항에 있어서,일단이 DC 전원에 접속되는 로드(load); 및상기 로드의 타단에 접속되는 필터를 더 포함하는 능동 주파수 혼합 회로
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제9항에 있어서,상기 로드는,MOSFET 또는 저항으로 구현되는능동 주파수 혼합 회로
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제10항에 있어서,상기 MOSFET은,피드백 저항을 이용하여 공통 모드(common-mode) 전압을 제공하거나,OP-AMP를 이용하여 공통 모드 전압을 제공하는능동 주파수 혼합 회로
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제9항에 있어서,상기 필터는,병렬 연결된 저항 및 캐패시터를 포함하는 능동 주파수 혼합 회로
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제10항에 있어서,상기 필터는,일단이 상기 MOSFET의 드레인에 접속되어 IF(Intermediate Frequency) 신호가 인가되고, 타단은 상기 MOSFET의 게이트에 접속되는능동 주파수 혼합 회로
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