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제1 방향으로 이격 배열되는 복수의 그루브(groove)들이 형성된 실리콘 기판을 마련하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 금속산화막을 형성하는 단계; 및상기 금속산화막의 녹는점을 기준으로 사전에 설정된 온도 범위에서 상기 금속산화막을 열처리하여, 상기 복수의 그루브(groove)들을 따라 응집된 나노선 어레이를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 그루브는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 길이가 연장되며, 서로 대향되는 제1 경사면 및 제2 경사면을 포함하고,상기 금속산화막은 바나듐 옥사이드(V2O5)를 포함하는, 나노선 어레이 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 그루브는 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면을 연결하는 저면을 포함하며, 상기 저면은 상기 실리콘 기판의 바닥면으로부터 일정한 높이를 갖는, 나노선 어레이 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면의 사이각은 70°내지 100°범위를 갖는, 나노선 어레이 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 금속산화막을 형성하는 단계는 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 상기 바나듐 옥사이드를 20 nm 내지 60 nm의 두께로 증착하는 것에 의해, 상기 금속산화막을 형성하는, 나노선 어레이 제조방법
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제1 방향으로 이격 배열되는 복수의 그루브(groove)들이 형성된 실리콘 기판을 마련하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 금속산화막을 형성하는 단계; 상기 금속산화막의 녹는점을 기준으로 사전에 설정된 온도 범위에서 상기 금속산화막을 열처리하여, 상기 복수의 그루브(groove)들을 따라 응집된 나노선 어레이를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판 및 상기 나노선 어레이를 덮도록 액상의 폴리머 용액을 부어 고착시킨 후 경화시켜 상기 나노선 어레이가 전사된 폴리머 기판을 형성하는 단계;상기 폴리머 기판을 상기 실리콘 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 폴리머 기판에 전사된 상기 나노선 어레이를 전기적으로 연결하는 전극을 형성하여 변형 센서(flexible strain sensor)를 제조하는 단계;를 포함하는, 변형센서 제조방법
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제6 항에 있어서, 상기 그루브는 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 길이가 연장되며, 서로 대향되는 제1 경사면 및 제2 경사면을 포함하는, 변형센서 제조방법
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제7 항에 있어서,상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면의 사이각은 70°내지 100°범위를 갖는, 변형센서 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 금속산화막은 바나듐 옥사이드(V2O5)를 포함하는, 변형센서 제조방법
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제9 항에 있어서,상기 금속산화막을 형성하는 단계는 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 상기 바나듐 옥사이드를 20 nm 내지 60 nm의 두께로 증착하는 것에 의해, 상기 금속산화막을 형성하는, 변형센서 제조방법
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