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서로 이격되어 배치된 제1 발광 구조체 및 제2 발광 구조체를 포함하는 발광 구조체들을 포함하는 발광 소자에 있어서,상기 제1 발광 구조체는 GaN 버퍼층, 제1 n형 GaN층, 제1 다중 양자 우물층, 제1 p형 AlGaN층, 제1 p형 GaN층, 및 제1 절연층을 포함하고,상기 제2 발광 구조체는 상기 GaN 버퍼층, 제2 n형 GaN층, 제2 다중 양자 우물층, 제2 p형 AlGaN층, 제2 p형 GaN층, 및 상기 제1 절연층을 포함하고,상기 제1 다중 양자 우물층은 상기 제2 다중 양자 우물층과 다른 구조 또는 조성을 가지고,상기 제1 절연층, 상기 제1 p형 GaN층, 상기 제1 p형 AlGaN층, 및 상기 제1 다중 양자 우물층을 관통하여 상기 제1 n형 GaN층을 노출시키는 제1 콘택 홀들을 채우는 제1 콘택 플러그들;상기 제1 절연층, 상기 제2 p형 GaN층, 상기 제2 p형 AlGaN층, 및 상기 제2 다중 양자 우물층을 관통하여 상기 제2 n형 GaN층을 노출시키는 제2 콘택 홀들을 채우는 제2 콘택 플러그들;상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제1 p형 GaN층 및 상기 제2 p형 GaN층을 각각 노출시키는 보조 콘택 홀들을 채우는 보조 콘택 플러그들;상기 제1 콘택 홀들, 상기 제2 콘택홀들, 및 상기 보조 콘택 홀들의 측벽에 배치되는 절연 측벽;상기 제1 콘택 플러그들, 상기 제2 콘택 플러그들, 및 상기 보조 콘택 플러그들 상에 배치되는 중간 도전 패드;상기 제1 발광 구조체는 상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 분리되고 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하고,상기 제2 발광 구조체는 상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제2 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 분리되고 상기 제2 다중 양자 우물층을 포함하고,상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 제3 발광 구조체를 더 포함하고,상기 제1 발광 구조체, 상기 제2 발광 구조체, 및 상기 제3 발광 구조체는 상기 GaN 버퍼층이 국부적으로 제거되어 서로 이격되어 배치돠고,상기 제1 발광 구조체, 상기 제2 발광 구조체, 및 상기 제3 발광 구조체를 덮는 보호층;상기 중간 도전 패드와 정렬되고 상기 보호층을 관통하는 콘택 패드;상기 콘택 패드를 마주보도록 부착된 지지 기판; 및상기 제3 발광 구조체의 상기 GaN 버퍼층에 배치된 적색 형광층을 더 포함하고,상기 제1 발광 구조체 및 상기 제2 발광 구조체의 일면 상에 각각 배치된 투명 절연층을 더 포함하고,상기 투명 절연층들 사이 또는 상기 투명 절연층과 상기 적색 형광층 사이에 배치된 흑색 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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