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기판;상기 기판의 일면에 배치되는 자성 패턴; 및상기 기판의 타면 상에 배치된 전자석;을 포함하고,상기 자성 패턴은:상기 전자석과 정렬되고 상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 투과시키는 자기장 투과 영역; 및상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 상기 자성 패턴의 배치 평면 방향으로 굴절시키는 자기장 차폐 영역을 포함하고,상기 자기장 차폐 영역은 상기 자기장 투과 영역을 감싸도록 배치되고,상기 전자석은:상기 자기장 투과 영역에 정렬되어 상기 기판의 타면 상에 배치된 자성체 코어; 및전원으로부터 전류를 제공받아 자기장을 형성하고 상기 자성체 코어를 감싸도록 배치된 코일을 포함하고, 상기 전자석은 전자석 지지판을 더 포함하고,상기 자성체 코어는 상기 전자석 지지판을 관통하도록 배치되고,상기 코일은 상기 전자석 지지판 내에 매몰되거나 상기 전자석 지지판의 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제1 항에 있어서,상기 자성 패턴은 복수의 자성 나노 입자들 및 상기 자성 나노 입자들을 고정시키는 경화 레진을 포함하고, 상기 자성 나노 입자들은 상기 자기장 투과 영역에서 상기 자성 패턴의 두께 방향으로 정렬된 정렬축을 제공하는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제1 항에 있어서,상기 전자석 지지판은 인쇄회로 기판인 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제1 항에 있어서,상기 자성 패턴은 복수 개이고 서로 이격되어 배치되고,상기 자성 패턴은 상기 기판의 하부면에서 돌출된 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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기판;상기 기판의 일면에 배치되는 자성 패턴; 및상기 기판에 배치된 전자석;을 포함하고,상기 자성 패턴은:상기 전자석과 정렬되고 상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 투과시키는 자기장 투과 영역; 및상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 상기 자성 패턴의 배치 평면 방향으로 굴절시키는 자기장 차폐 영역을 포함하고,상기 자기장 차폐 영역은 상기 자기장 투과 영역을 감싸도록 배치되고,상기 전자석은:상기 자기장 투과 영역에 정렬되어 상기 기판에 배치된 자성체 코어;상기 자성체 코어를 감싸도록 배치된 코일; 및상기 코일에 전류를 제공하는 전원을 포함하고,상기 자성체 코어는 상기 기판을 관통하도록 배치되고,상기 코일은 상기 기판 내에 매몰되거나 상기 기판의 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제8 항에 있어서,상기 자성 패턴은 복수의 자성 나노 입자들 및 상기 자성 나노 입자들을 고정시키는 경화 레진을 포함하고, 상기 자성 나노 입자들은 상기 자기장 투과 영역에서 상기 자성 패턴의 두께 방향으로 정렬된 정렬축을 제공하는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제9 항에 있어서,상기 자성 나노 입자들은 상기 자기장 차폐 영역에서 상기 자성 패턴의 배치 평면 방향으로 정렬된 정렬축을 제공하는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제8항에 있어서,상기 기판은 인쇄회로 기판인 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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제8 항에 있어서,상기 자성 패턴은 복수 개이고 서로 이격되어 배치되고,상기 자성 패턴은 상기 기판의 하부면에서 돌출된 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치
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기판, 상기 기판을 관통하는 자성체 코어, 그리고 상기 자성체 코어를 감싸도록 배치된 코일을 포함하는 전자석을 준비하는 단계;상기 기판의 일면 상에 자성 나노입자들과 경화 레진을 포함하는 예비 자성층을 코팅하는 단계;상기 기판에 수직한 제1 자기장을 인가하여 상기 자성 나노입자들이 상기 제1 자기장을 따라 정렬한 상태에서 제1 마스크 및 자외선을 이용하여 국부적으로 상기 예비 자성층을 경화시키어 자기장 투과영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 자기장을 제거한 후 상기 기판에 평행한 제2 자기장을 인가하여 상기 자성 나노입자들이 상기 제2 자기장을 따라 정렬한 상태에서 제2 마스크 및 자외선을 이용하여 국부적으로 나머지 예비 자성층을 경화시키어 자기장 차폐 영역을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 자기장 차폐 영역은 상기 자기장 투과 영역을 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 자성을 이용하는 소자 전사 장치의 제조 방법
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성장 기판 상에 노출된 전극 패드 및 몰딩 절연층을 포함하는 발광 다이오드 소자들을 형성하는 단계; 상기 몰딩 절연층 상에 지지기판을 부착하는 단계;상기 성장 기판을 제거하는 단계;상기 성장 기판을 제거한 후 노출된 발광다이오드 소자들의 하부면에 자성물질 패턴을 형성하는 단계;상기 지지 기판 및 상기 몰딩 절연층을 슬라이싱하여 발광 다이오드들 각각을 분리하는 단계;자성 패턴 및 전자석을 포함하는 자성 전사 장치를 이용하여 발광 다이오드들 중에서 적어도 하나를 집어 올린 상태에서 발광 다이오드의 상기 지지 기판을 제거한 후 목표 기판으로 발광 다이오드를 이동시키는 단계; 및상기 목표 기판의 도전 패드와 상기 발광 다이오드의 전극 패드를 결합시키는 단계를 포함하고,상기 자성 패턴은:상기 전자석과 정렬되고 상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 투과시키는 자기장 투과 영역; 및상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 상기 자성 패턴의 배치 평면 방향으로 굴절시키는 자기장 차폐 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 전사 방법
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