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텅스텐으로 도핑된 바나듐 산화물로 형성되어, 전기절연성을 갖는 제1 상에서 전계 또는 열에 의해 전기전도성을 갖는 제2 상으로 상전이 되고, 상기 제1 상에서 상기 제2 상으로 전이될 때 열전도도가 불연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는,열 이동을 제어하는 전자 소자의 채널
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게이트 전압 또는 게이트 온도가 인가되는 게이트 포트;상기 게이트 포트로 인가되는 외부 자극에 의한 전계나 열에 의해 전기절연성을 갖는 제1 상에서 전기전도성을 갖는 제2 상으로 상전이 되되 상기 제1 상에서 상기 제2 상으로 전이될 때 열전도도가 불연속적으로 증가하며, 텅스텐으로 도핑된 바나듐 산화물로 형성된 채널;상기 채널과 연결되고 열원으로부터 열을 제공받는 소스 포트; 및상기 소스 포트와 이격되어 상기 채널과 연결되고, 상기 채널이 제2 상으로 상전이된 경우에 상기 소스 포트로부터 열을 전달받는 드레인 포트를 포함하는,열 이동을 제어하는 전자 소자
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제2항에 있어서,상기 채널의 두께는 1 nm 내지 300 nm인 것을 특징으로 하는,열 이동을 제어하는 전자 소자
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제2항에 있어서,상기 게이트 포트와 상기 채널을 절연시키는 고유전성 게이트 절연체를 더 포함하고,상기 게이트 포트, 상기 절연체 및 상기 채널이 순차적으로 적층되며,상기 채널 상에 상기 소스 포트와 상기 드레인 포트가 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는,열 이동을 제어하는 전자 소자
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제4항에 있어서,상기 고유전성 게이트 절연체는박막 산화물, 자기조립단층막 (self assembled monolayer (SAM)), 고 유전상수 복합재료 (high k composite), 고 유전상수 나노복합재료 (high k nanocomposite), 액체전해질(liquid electrolyte), 고체전해질(solid electrolyte), 고분자 전해질(polymer electrolyte), 또는 젤 전해질(gel electrolyte)인 것을 특징으로 하는,열 이동을 제어하는 전자 소자
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