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그래핀 시트 상에 형성된 전도성 고분자 사슬을 포함하는 애노드(anode);그래핀 시트 상에 형성된 금속 산화물 또는 금속 황화물의 서브-나노스케일 입자를 포함하는 캐소드(cathode); 및수성 전해질을 포함하는, 수성 하이브리드 커패시터(aqueous hybrid capacitor)로서,상기 애노드는 상기 그래핀 시트 상에서 상기 전도성 고분자 형성용 단량체의 in-situ 중합에 의하여 제조되는 것이고,상기 그래핀 시트와 상기 전도성 고분자 사슬의 중량비는 1 : 0
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 사슬은 화이버(fiber) 형태를 갖는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 사슬은 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜, 폴리[3-메틸싸이오펜], 폴리[3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜](PEDOT) 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 전도성 고분자를 포함하는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 1 항에 있어서, 상기 서브-나노스케일 입자는 Ni, Fe, Co, Ge, Sn, Mn, Ti, V, Cu, Zn, W, Ag, Pt, Ga, P, Au, Sb, Te, Pb, Bi, Mo 및 Cd 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 원소를 함유하는 산화물 또는 황화물을 포함하는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 2 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 사슬의 화이버의 너비는 1 nm 내지 10 nm인 화이버(fiber) 형태를 갖는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 시트와 상기 전도성 고분자 사슬의 중량비는 1 : 0
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그래핀 시트 상에 형성된 전도성 고분자 사슬을 포함하는, 슈도커패시터용(pseudocapacitive) 전도성 복합체로서,상기 전도성 복합체는 상기 그래핀 시트 상에서 상기 전도성 고분자 형성용 단량체의 in-situ 중합에 의하여 제조되는 것이고,상기 그래핀 시트와 상기 전도성 고분자 사슬의 중량비는 1 : 0
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제 7 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 사슬은 화이버(fiber) 형태를 갖는 것인, 슈도커패시터용 전도성 복합체
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제 7 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 사슬은 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜, 폴리[3-메틸싸이오펜], 폴리[3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜](PEDOT) 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 전도성 고분자를 포함하는 것인, 슈도커패시터용 전도성 복합체
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제 7 항에 있어서,상기 전도성 고분자 사슬의 화이버의 너비는 1 nm 내지 10 nm인 화이버(fiber) 형태를 갖는 것인, 슈도커패시터용 전도성 복합체
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