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산화 그래핀(graphene oxide; GO)을 함유하는 수용액을 준비하는 단계;상기 산화 그래핀을 에천트(etchant)로 에칭하여 적어도 하나의 포어(pore)가 형성되는 다공성 산화 그래핀(porous graphene oxide)을 제조하는 단계; 및상기 다공성 산화 그래핀에 질소 함유 전구체를 첨가하여 환원 반응 및 질소 도핑함으로써(N-doping) 다공성 피리딘-질화 그래핀(Pyridinic-N-doped graphene) 구조가 형성되도록 하는 단계를 포함하고,상기 에칭은 1시간 내지 2시간 30분 동안 수행되는 다공성 질화 그래핀(N-doped porous graphene)의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 산화 그래핀을 함유하는 수용액은 상기 산화 그래핀의 농도가 1
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제 1항에 있어서,산화 그래핀을 함유하는 수용액을 준비하는 단계는,상기 산화 그래핀이 수용액에 분산된 상태가 되도록 초음파를 적용하는 단계를 포함하는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 초음파를 적용하는 단계는 10분 내지 50분 동안 수행되는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 산화 그래핀을 제조하는 단계에서,상기 에천트는 과산화수소(H2O2), 펜톤 시약(fenton's reagent) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 산화 그래핀을 제조하는 단계에서,상기 포어는 10 nm 내지 20 nm의 범위의 평균 포어 크기로 형성되는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 산화 그래핀을 제조하는 단계에서,상기 에칭은 85oC 내지 90oC의 온도에서 수행되는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,다공성 질화 그래핀의 제조 방법은,상기 다공성 산화 그래핀을 제조하는 단계 후, 및 상기 환원 반응 및 질소 도핑하는 단계 전에,공극(void)이 형성된 멤브레인 필터를 사용하여 상기 다공성 산화 그래핀을 여과시키는 단계(Filtration)를 더 포함하고,상기 공극의 직경은 상기 다공성 산화 그래핀의 직경보다 작은 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 공극의 직경은 15 nm 내지 35 nm인 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 8항에 있어서,다공성 질화 그래핀의 제조 방법은,상기 여과시키는 단계 후, 및 상기 환원 반응 및 질소 도핑하는 단계 전에,상기 에천트를 제거하고 상기 다공성 산화 그래핀을 증류수에 재분산시키는 단계를 더 포함하는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 환원 반응 및 질소 도핑은, 150℃ 이하의 반응 온도에서 수행되는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 환원 반응 및 질소 도핑하는 단계에서,상기 질소 함유 전구체는 암모니아(NH3), 히드라진(NH2NH2), 아민(amine), 멜라민(C3H6N6) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 환원 반응 및 질소 도핑하는 단계에서,상기 질소 함유 전구체는 암모니아 및 히드라진을 7: 1의 부피비로 포함하는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 환원 반응 및 질소 도핑은, 교반(stirring)없이 1시간 내지 2시간 동안 수행되는 다공성 질화 그래핀의 제조 방법
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