맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치

  • 기술번호 : KST2019021472
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치는 반도체 제조 설비에서 유해가스 및 입자상 물질을 포함하는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 배기가스가 유입되며 오존을 생성 또는 공급하여 상기 배기가스에 포함된 일산화질소를 수용성의 이산화질소로 산화시키는 오존 처리 모듈, 상기 오존 처리 모듈에서 처리된 배기가스가 유입되며 산화제 수용액 또는 환원제 수용액을 분사하여 상기 배기가스를 처리하는 산화환원 처리 모듈 및 상기 산환환원 처리 모듈에서 처리된 배기가스 및 미스트가 유입되며 상기 유입된 배기가스 및 미스트를 하전시키고 수막이 형성되는 집진판에 집진시키며 처리하는 전기집진 처리 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) B01D 53/75 (2006.01.01) B01D 53/78 (2006.01.01) B01D 53/79 (2006.01.01) B01D 47/06 (2006.01.01) B03C 3/017 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01)
출원번호/일자 1020180053804 (2018.05.10)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0129330 (2019.11.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.10)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용진 대전광역시 유성구
2 김학준 대전 유성구
3 한방우 대전광역시 유성구
4 우창규 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0460868-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0125835-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0816716-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0001953-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0001942-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.02 1-1-2020-0001974-96
8 면담 결과 기록서
2020.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0008167-90
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0087653-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0087581-49
11 보정의취하간주안내문
2020.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0015592-13
12 등록결정서
Decision to grant
2020.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0350500-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 제조 설비에서 유해가스 및 입자상 물질을 포함하는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서,상기 배기가스가 유입되며 오존을 생성 또는 공급하여 상기 배기가스에 포함된 일산화질소를 수용성의 이산화질소로 산화시키는 오존 처리 모듈;상기 오존 처리 모듈에서 처리된 배기가스가 유입되며 산화제 수용액 또는 환원제 수용액을 분사하여 상기 배기가스를 처리하는 산화환원 처리 모듈; 및상기 산화환원 처리 모듈에서 처리된 배기가스 및 미스트가 유입되며 상기 유입된 배기가스 및 미스트를 하전시키고 수막이 형성되는 집진판에 집진시키며 처리하는 전기집진 처리 모듈을 포함하고,상기 전기집진 처리 모듈은 원통형 홀이 형성되고, 상기 홀 내부에서 유동하는 하전된 입자를 집진시키며, 상단부에 세정액을 토출시키는 세정액 토출구가 형성되어 집진면에 수막을 형성하도록 하는 원통형 집진판;상기 원통형 홀 내부에 위치하고 상기 원통형 집진판과의 전위차로 발생하는 전기장의 힘으로 상기 하전된 입자를 상기 원통형 집진판에 집진시키도록 하는 전극봉;상기 원통형 집진판의 상단부를 둘러싸도록 원형의 링 형태로 형성되며 상기 세정액이 저장되는 공간을 형성하며 상부에 상기 세정액 토출구와 연통되도록 형성되는 세정액 챔버; 및상기 원통형 집진판의 접선 방향으로 상기 세정액 챔버에 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 포함하는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치는 반도체 제조 설비의 각 프로세서 장치 후단에 형성되는 POU(point of use) 스크러버를 통해 배출되는 배기가스를 처리하는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 세정액 공급부는 대각의 위치에서 상호 반대 방향으로 상기 세정액 챔버에 상기 세정액을 공급하는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 세정액 토출구는 상기 집진면의 둘레를 따라 원형의 슬릿으로 형성되는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 원통형 집진판은 CFRP(carbon fiber reinforced plastics)로 형성되는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 원통형 집진판의 표면은 쇼트 피닝(shot peening) 또는 샌드 브라스팅(sand blasting) 방법으로 친수 처리되는 반도체 제조 설비의 배기가스 처리장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 한국기계연구원 환경부-국가연구개발사업 공정처리 후 2차 발생되는 부산물의 동시 처리를 위한 400 LPM급 최적 후처리 Electrostatic precipitator 장치 기술 개발 (2/2)
2 미래창조과학부 한국기계연구원 주요사업 미세먼지(PM2.5) 및 온실가스 대응 미래발전/동력시스템 초청정 기계기술 (1/6)
3 미래창조과학부 ㈜엔노피아 미래부-국가연구개발사업(III) 반도체 공정 복합 오염 물질(NOx, 수용성 가스, PM2.5) 동시 저감을 위한 정전 복합형 처리시스템 개발 (2/2)