| 1 |
1
제1 기판의 일면에, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조체를 복수개 형성하는 단계;상기 복수개의 발광구조체들의 일단에 범프층을 형성하여 상기 복수개의 발광구조체들과 제2 기판을 접합시키는 단계; 상기 복수개의 발광구조체들 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 공극에 실리콘(Si)계 절연성 물질을 포함하는 범프 지지층 재료를 주입한 후, 수증기(H2O)를 포함하는 분위기하에서 70℃ 내지 300℃ 범위 내의 온도로 유지하는 큐어링(curing) 공정을 수행하여 산화막으로 변환시켜, 상기 복수개의 발광구조체들 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 공극에 충진되는 범프 지지층을 형성하는 단계; 및레이저 리프트 오프를 이용하여 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 발광구조체를 복수개 형성하는 단계는,상기 제1 기판의 일면에 순차적으로 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 적층된 발광구조체를 형성하는 공정;상기 발광구조체를 패터닝하여 패턴화된 어레이 구조를 갖는 복수개의 발광구조체들을 형성하는 공정; 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되도록 상기 발광구조체를 메사식각하는 공정;상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 제1 전극을 형성하는 공정; 및상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 제조방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 범프 지지층은 스핀 온 글라스(spin on glass) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 제조방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 범프 지지층 재료를 주입하는 공정은, 스핀 코팅(spin coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating)을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 제조방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제2 기판;제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 복수개의 발광구조체들;상기 복수개의 발광구조체들의 일단에 배치되며, 상기 복수개의 발광구조체 및 상기 제2 기판을 접합시키는 범프층; 및상기 복수개의 발광구조체들 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 공극에 실리콘(Si)계 절연성 물질을 포함하는 범프 지지층 재료가 주입된 후, 수증기(H2O)를 포함하는 분위기하에서 70℃ 내지 300℃ 범위 내의 온도로 유지하는 큐어링(curing) 공정에 의해 산화막으로 변환되어, 상기 복수개의 발광구조체들 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 공극에 충진되는 범프 지지층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 복수개의 발광구조체들은 패턴화된 어레이 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 복수개의 발광구조체들은, 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역에 배치된 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역에 배치된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 범프 지지층은 실리콘(Si)계 절연성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드
|
| 12 |
12
제8항에 있어서, 상기 범프 지지층은 스핀 온 글래스(spin on glass) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드
|
