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3D 프린터를 사용하여 고용량의 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 방법으로서,동일 평면 상에 서로 이격되어 위치하는 양극과 음극을 포함하는 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 방법이고,기판 표면에 3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 한 쌍의 집전체를 형성하는 집전체 형성 단계; 및상기 한 쌍의 집전체 각각의 위에 3D 프린터를 사용하여 전극 구성물질을 복수의 층으로 적층하여 양극과 음극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하여 구성되며, 상기 집전체 형성 단계가, 3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 집전체의 패턴을 형성하는 프린팅 단계;와 전도성 잉크로 형성된 패턴의 표면을 상기 패턴보다 전도율이 높은 금속 재질로 덮는 전도성 향상 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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3D 프린터를 사용하여 고용량의 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 방법으로서,동일 평면 상에 서로 이격되어 위치하는 양극과 음극을 포함하는 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 방법이고,기판 표면에 3D 프린터를 사용하여 전극 구성물질을 복수의 층으로 적층하여 양극과 음극을 형성하는 전극 형성 단계; 및상기 양극과 상기 음극의 위에 3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 한 쌍의 집전체를 형성하는 집전체 형성 단계를 포함하여 구성되며, 상기 집전체 형성 단계가, 3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 집전체의 패턴을 형성하는 프린팅 단계;와 전도성 잉크로 형성된 패턴의 표면을 상기 패턴보다 전도율이 높은 금속 재질로 덮는 전도성 향상 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 이머전 골드(immersion gold) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 무전해 도금 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 전해 도금 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전극 형성 단계에서, 3D 프린터를 사용하여 전극 구성물질을 적층한 뒤에 열처리하는 과정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 집전체 형성 단계에서, 전도성 잉크를 토출하는 3D 프린터의 노즐 내경이 180 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전극 형성 단계에서, 전극 구성물질을 토출하는 3D 프린터의 노즐 내경이 180 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 전극 형성 단계에서 10층 이상으로 적층하는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 집전체 형성 단계에서 한 쌍의 집전체를 깍지형 전극(interdigitated electrodes) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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3D 프린터를 사용하여 집전체를 형성하는 방법으로서,동일 평면 상에 서로 이격되어 위치하는 양극과 음극을 포함하는 마이크로 슈퍼커패시터에서 전극에 접촉하는 집전체를 형성하는 방법이고,3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 한 쌍의 집전체의 패턴을 형성하는 프린팅 단계;와전도성 잉크로 형성된 패턴의 표면을 상기 패턴보다 전도율이 높은 금속 재질로 덮는 전도성 향상 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 이머전 골드(immersion gold) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 무전해 도금 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 전도성 향상 단계가 전해 도금 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 프린팅 단계에서, 전도성 잉크를 토출하는 3D 프린터의 노즐 내경이 180 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 프린팅 단계에서, 한 쌍의 집전체를 깍지형 전극(interdigitated electrodes) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 프린팅 단계가, 미리 형성된 양극과 음극의 위에 3D 프린터로 전도성 잉크를 토출하여 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체의 형성방법
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청구항 1의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터
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청구항 2의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터
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청구항 19 또는 청구항 21에 있어서,상기 양극과 상기 음극이 10 층 이상 적층된 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터
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청구항 19 또는 청구항 21에 있어서,상기 한 쌍의 집전체가 깍지형 전극(interdigitated electrodes) 구조인 것을 특징으로 하는 고용량 마이크로 슈퍼커패시터
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